大気圧プラズマジェット照射によるシリコン表面の超親水化：TOF-SIMS解析

抄録

空気中でSi表面に大気圧アルゴンプラズマジェットを5秒間照射すると、Si表面の水の接触角は、77°から７°へ減少し、Si表面は超親水化することがわかった。飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS)解析から、この超親水化は、Si表面に吸着している疎水性有機化合物の除去と親水基の増加のためであることがわかった。