亜酸化窒素ガスによるシリコン熱酸窒化膜の反応条件依存性

抄録

Si(100)基板を使用し、基板温度を600－1000℃、10^-4－1mbarの圧力領域での亜酸化窒素(N₂O)ガスにより、シリコン熱酸窒化を行った。形成された酸窒化膜をX線光電子分光によって分析した。結果、反応条件の違いによって膜厚や元素組成が大きく変化することがわかった。今回得られたシリコン酸窒化膜の元素組成に関して、基板温度依存性とガス圧力依存性についての知見を報告する。