表面酸処理をしたMgドープGaN光触媒による水分解反応

抄録

本研究室では、MgをドープしたGaNが水分解に対して高い活性を持つことを見出した。しかし、ドープしたMgの一部がMgOとして析出し、MgドープGaNの活性サイトを阻害するため、光触媒活性が低下してしまう可能性が示唆された。そこで本研究では、析出したMgOを表面酸処理により除去した、MgドープGaN光触媒を作製し、水分解活性に対する光触媒活性を調べた。