CAICISSによるSi(111)上バリウムシリサイドの表面構造解析

抄録

バリウムシリサイド（BaSi₂）は優れた薄膜太陽電池材料として期待されているが、その表面構造は十分に明らかになっていない。本研究では同軸型直衝突イオン散乱分光法 (CAICISS) を用いて、Si(111)上にエピタキシャル成長したBaSi₂薄膜の表面構造解析を行った。その結果、BaSi₂表面は60°ずつ回転した6つのドメインを形成し、再表面はSi原子で終端されていることを明らかにした。