in situ電気伝導測定によるRashba系表面構造(Tl, Pb)/Si(111)の超伝導の観測

抄録

近年、Si基板上の金属吸着構造に関する物性研究が進み、超伝導やRashba効果によるスピン分裂を示す系が各々発見されたが、その両者を併せ持つものはまだ見つかっていない。最近のARPES測定により、Tl及びPbをSi表面に吸着させた(Tl, Pb)/Si(111)構造がRashba分裂した金属的表面状態を持つことが明らかとなった。我々はその表面に対しin situ 4点プローブ法による電気伝導測定を行い、二次元的な超伝導を観測したためここに報告する。