Si(111)基板上に成長させたBi₂Te₃薄膜の電子状態と電気伝導

抄録

3次元トポロジカル絶縁体であるBi₂Te₃の薄膜を単一蒸着源を用いた手法でBi/Si(111)-(√3×√3)R30°上に成長させた。角度分解光電子分光(ARPES)では先行文献と一致する膜厚に依存した金属的なバンド構造が観測された。電気伝導度測定では電気抵抗率の金属的な温度依存性が確認された。膜厚の増加とともに抵抗率の温度に対する傾きが減少する傾向が観測された。