反応性スパッタ法における相転移酸化物薄膜結晶成長への高周波基板バイアス印加効果

抄録

反応性スパッタ法において、基板への高周波バイアス印加が相転移二酸化バナジウム(VO2)薄膜成長に与える効果を調べた。酸素が過剰条件下において、基板バイアス印加はVO2薄膜の結晶の成長を顕著に促進する。自己バイアス電圧と結晶成長及びストレス、欠陥生成について考察した。