反応性スパッタ法によるMo箔上へのVO2(B)薄膜の堆積とリチウムイオンバッテリー電極への応用の試み

抄録

反応性スパッタ法を用いて二酸化バナジウム薄膜の準安定相であるVO2(B)薄膜を作製した。薄いモリブテン箔を基板として用い、1μmに近い厚膜として、リチウムイオンバッテリー（LIB）の電極応用を試みた。成膜中にMo基板の電位制御を行うことで、VO2(B)単相の配向膜が得られた。作製した薄膜をLIBの電極として応用して、電池特性の評価を行った。