高周波マグネトロンスパッタ法により作製したタングステン薄膜の結晶配向性の基板位置依存性

抄録

高周波マグネトロンスパッタリングにおいて、基板ホルダ上の異なる位置でタングステン薄膜を作製したところ、結晶配向に大きな違いが認められた。本稿では、成膜に寄与する粒子の基板への入射方向の違いが配向性に影響を及ぼしたと考え、基板ホルダを一部遮蔽して薄膜を形成することにより、その原因を明らかにすることを試みた。