誘導結合プラズマ支援型多重磁極型マグネトロンスパッタ法により柔軟性素材及びSi基板上に作製したNi薄膜のRF電力依存性

抄録

前回の報告からRF電力Pの変化によりイオン照射効果を制御でき、膜構造制御が可能であることがわかった。今回、より広範なP依存性を調べるためPを0～40Wの範囲で変え柔軟性及びSi基板上にNi成膜を行った。薄膜特性に及ぼすイオン照射効果を確認するため、基板近傍のイオンの発光強度Ｉを測定し、Pの増加に伴いＩが増加することを確認した。このPの変化に伴うイオン照射効果に対する膜構造制御について検討を行った。