高真空マグネトロンスパッタ法で成膜されたMn付きトレンチへのCu埋め込み

抄録

我々はULSI配線用のトレンチへMnを成膜後、Mn付きトレンチへのCu埋め込みを行った。MnおよびCuの成膜には高真空マグネトロンスパッタ法を用いた。Cu埋め込み実験には、トレンチ幅20～50nm、アスペクト比2～4.5のMn付きトレンチを使用した。Cu埋め込み実験の結果、Cu成膜時のN₂およびO₂添加により幅50nm、アスペクト比2へのMn付きトレンチへのCu埋め込みが観察された。