イオンビームアシスト法により低温形成した炭素薄膜の導入ガス比依存性

抄録

近年，DLCやグラフェンをはじめとする炭素系薄膜が様々な分野で実用化されている。炭素薄膜の作製方法はイオンビームアシスト法や，スパッタリング法，CVD法など，多岐にわたるが，成膜温度が高く，炭素薄膜を低温形成した例は少ない。そこで本研究では，液体窒素冷却機構を用いて基板冷却温度基板を低温に制御しながら，イオンビームアシスト法により炭素薄膜を作製し，諸特性の雰囲気ガス/イオンガス比依存性を調査をする。