物質表面におけるイオン散乱の仕事関数への依存性

抄録

材料表面加工等に用いられる負イオンを生成し、その生成効率を見積もる測定系を立ち上げた。正負イオンと電子を弁別するために静電場および磁場を用い、チャンネルトロンで検出したイオンのパルス信号をカウントした。Arイオンをターゲットに約1mA/m^2 照射したところ、散乱されたイオンは10^5カウント/秒程度で検出された。講演ではイオンを照射する表面の仕事関数 を変化させた時の結果も発表する。