低速電子回折と電子分光法によるHf蒸着Si(110)-16×2シングルドメイン表面の研究

抄録

我々はSi(110)-16×2シングルドメイン清浄表面にハフニウム（Hf）の金属蒸気を曝露したときの表面構造と表面状態の変化を低速電子回折と電子分光法により研究した。HfはSi(110)-16×2 SD清浄表面にランダムに吸着し、アニール処理するとSi(110)基板の16×2構造のダブルドメイン構造が現れた。また、特定表面サイトに局在していた表面準位はHf吸着によって消失した。