窒素ドープグラフェン表面における酸素還元反応: 窒素濃度依存性

抄録

密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて、窒素ドープグラフェンの酸素還元反応に対する触媒性 (最大電極電位や反応経路の選択性) を評価した。金属的な電子状態を有する窒素ドープグラフェンでは直接4電子反応を選択的に起こせるが、半導体的な電子状態を有する窒素ドープグラフェンは反応経路の選択性を有しないことが示された。