Si(001)基板上のβ-FeSi2(100)歪みナノカーペットの逆格子解析

抄録

β-FeSi₂は近赤外光のバンドギャップをもつ半導体であり、光学素子等への応用が期待されている。我々はこれまでにβ-FeSi₂が基板ステップを緩和する際に、格子不整合に起因する歪み二次元ナノカーペット構造を持つことを報告してきた。
今回我々は特徴的な広がりをもつLEEDスポットを解析することでナノカーペットのモデルを提案し、逆格子点シミュレーションと実験結果との比較によってモデルの妥当性を議論する。