高精度積層構造分析技術の開発

抄録

Ⅲ-Ⅴ化合物半導体素子は厚さ数 nmと非常に薄い膜を僅かに組成を変えて何層も積層する構造がしばしば用いられる。その多層薄膜構造の中の各層に対する詳細組成分析技術の確立を目的に、二次イオン質量分析（SIMS）を中心に最適手法検討を行ってきた。今回、原子レベルの空間分解能の組成分析手法である三次元アトムプローブを試行した結果、定量精度はSIMSに劣るものの界面急峻性に関しては高精度なデータが得られた。