絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算

抄録

炭素より重いIV族元素の二次元結晶（シリセン、ゲルマネン、スタネン）は、バンドギャップ制御、高キャリア移動度やトポロジカル絶縁性の発現などが期待されている究極の薄膜材料である。理論上の産物であったそれらは最近になって金属上で合成できるようになってきたが、応用に向けては絶縁膜上の性質を知ることが必要不可欠である。本講演では、絶縁膜上のシリセンの電子状態や安定構造や第一原理計算により明らかにする。