GaN異種接合界面の制御と先端HEMT技術への応用

抄録

GaN系ヘテロ構造に形成したMOS界面に対し詳細な容量ー電圧（C-V）特性解析と光支援C-V評価を行い、絶縁膜/(Al)GaN界面の電子捕獲準位の特性を明らかにした。その結果をベースとして、界面電子準位とGaN系MOSトランジスタの動作安定性との関連を議論する。