Na フラックス法によるGaN 結晶育成技術

抄録

Naフラックス法は、温度700～900℃、窒素30～40気圧の条件でGa/Na溶液中に窒素を溶解させ、過飽和状態にすることでGaN結晶を析出させる方法である。
大阪大学では、高品質化と大型結晶化の両方を実現するために、Naフラックス法を用いてサファイア上に配向した微小種結晶からのGaN結晶成長技術の研究開発を進めている。現在、微小種結晶から独立に成長した複数のGaN結晶を合体させること で、4インチ以上の高品質GaN結晶が育成されている。