バイアス電圧を基板に印加して作製したRFスパッタ膜の組成が変化する現象に対する一考察（第二報）

抄録

RFスパッタにより，基板にバイアス電圧を印加して作製した二硫化モリブデン膜の組成比が構成元素のイオン化と関係して変化する事を報告した。本発表では，他の膜性状がこのメカニズムにより変化する事を考察する。