HAXPESによるSi-MOSキャパシタの化学結合状態および内部電位の深さ方向分析

抄録

熱酸化SiO₂をp型Si(100)上に形成し、Au薄膜(10nm)を電極に用いたMOSキャパシタを作成した。SPring8 BL47XUに設置されたHAXPESを用いて、Si基板側より電圧を印加し、広角電子レンズを用いて光電子脱出角度の異なるSi1s信号を一括で測定し、その解析により界面遷移領域などの化学結合状態と電圧印加による電位変化を切り分けて評価した。