熱ALD及びPE-ALD法で形成したHigh-k絶縁膜

抄録

原子層堆積(Atomic layer deposition: ALD)法で形成された金属膜及び高誘電率な金属酸化物(High-k)の薄膜は、トランジスタ、メモリ等の半導体を初め、生体など各種の分野で盛んに用いられている。ここでは、酸化剤ガスとして、H₂Oガス(熱ALD)またはプラズマ酸素ガス(Plasma-enhanced ALD: PE-ALD)を用いて形成したAl₂O₃膜の膜質と電気特性の関連について報告する。また、200℃の低温で作製したAl₂O₃-TiO₂スタック構造を用いた抵抗変化型キャパシタの特性についても報告する。