主催: 公益社団法人 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会
会議名: 平成30年度 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会
開催地: 東京理科大学 神楽坂キャンパス
開催日: 2018/11/30 - 2018/12/01
p. 51-53
Tin Sulfide (SnS) layer were annealed at 620℃ for 5 min with SnS powder to enlarge the crystalline grain size. While after annealing the Sn2S3 was formed on the surface. This result indicates that a SnS powder may partially evaporated to sulfur vapor while increasing the temperature and react with the SnS thin films.