主催: 公益社団法人 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会
会議名: 平成30年度 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会
開催地: 東京理科大学 神楽坂キャンパス
開催日: 2018/11/30 - 2018/12/01
p. 61-64
ZnO nanorods, which is an n-type transparent semiconductor, and a CuBr1-xIx (CuBrI) thin film which is a p-type transparent semiconductor, was deposited on a glass substrates by spin coating and dip coating method to prepare transparent fine structure pn junctions. I-V measurement showed the rectification characteristics of the prepared transparent microstructure pn junction sample.