日本物理学会春季分科会講演予稿集

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1965.2

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表紙

原稿種別: 表紙
p. Cover1-
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_Cover1

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[OTHERS]

原稿種別: 付録等
p. App1-
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_App1

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目次

原稿種別: 目次
p. i-xv
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_i

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半導体 : 理論と不安定性

奈良久

原稿種別: 本文
セッションID: 6a-C-1
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_1

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いくつかの同等でないエネルギー・バンド極値に附ずいした不純物状態 : 半導体 : 理論と不安定性

清水立生

原稿種別: 本文
セッションID: 6a-C-2
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_2

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半導体におけるフオノンの増幅と電流飽和現象 : 半導体 : 理論と不安定性

中村紀一, 山下次郎

原稿種別: 本文
セッションID: 6a-C-3
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_3

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GENERATION RATEの変化によるINSTABILITY : 半導体 : 理論と不安定性

戸田実

原稿種別: 本文
セッションID: 6a-C-4
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_4

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Transverse Break DownによるGrowing Microwave Instability : 半導体 : 理論と不安定性

戸田実

原稿種別: 本文
セッションID: 6a-C-5
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_5

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密度勾配のある個体プラズマ中の非可逆伝播 : 半導体 : 理論と不安定性

広田良吾

原稿種別: 本文
セッションID: 6a-C-6
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_6

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CdSの電流飽和I : 半導体 : 理論と不安定性

御子柴宣夫

原稿種別: 本文
セッションID: 6a-C-7
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_7

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InSbにおける横磁場中のInstability : 半導体 : 理論と不安定性

鈴木敏正, 片山郁男

原稿種別: 本文
セッションID: 6a-C-8
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_8

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InSb中のプラズマIII : 半導体 : 理論と不安定性

森崎弘, 犬石嘉雄, 林義宣

原稿種別: 本文
セッションID: 6a-C-9
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_9

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CdSにおける電流飽和および振動現象 : 半導体 : 理論と不安定性

浜口智尋, 石田晶, 犬石嘉雄

原稿種別: 本文
セッションID: 6a-C-10
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_10

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CdS単結晶の電気機械結合係数 : 半導体 : 理論と不安定性

小川智哉, 木村久正, 小島明

原稿種別: 本文
セッションID: 6a-C-11
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_11

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CdSe, CdTeの電流飽和及び振動現象 : 半導体 : 理論と不安定性

菊池誠

原稿種別: 本文
セッションID: 6p-C-1
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_12

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CdSe等におけるfilamentery breakdown現象 : 半導体 : 理論と不安定性

徳丸洋三, 岡田百代, 菊池誠

原稿種別: 本文
セッションID: 6p-C-2
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_13

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GaAsの強電場効果I : 温度効果その他 : 半導体 : 理論と不安定性

生駒英明

原稿種別: 本文
セッションID: 6p-C-3
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_14

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n-GaAsにおける音波増幅のbuild-up時間 : 半導体 : 理論と不安定性

久留勇

原稿種別: 本文
セッションID: 6p-C-4
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_15

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n-GaAsに於ける電流振動の周波数特性 : 半導体 : 理論と不安定性

久留勇

原稿種別: 本文
セッションID: 6p-C-5
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_16

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高抵抗半導体の負性抵抗と電流path : 半導体 : 理論と不安定性

石野福禰, 飯田昌盛, 尾崎肇, 木俣守彦

原稿種別: 本文
セッションID: 6p-C-6
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_17

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n型Geによるマイクロ波超音波の増幅と減衰 : 半導体 : 理論と不安定性

和田八三久, 田中昭二, 浅井彰二郎, 三浦登

原稿種別: 本文
セッションID: 6p-C-7
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_18

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ZnS蒸着膜の光電的性質(I) : 半導体 : 理論と不安定性

薮本忠一, 植草新一郎

原稿種別: 本文
セッションID: 6p-C-8
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_19

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半導体プラズマの軸方向分布(III) : 半導体 : 理論と不安定性

有住徹弥, 梅野正義, 橋本雅文, 堀場康孝

原稿種別: 本文
セッションID: 6p-C-9
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_20

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半導体プラズマのDreft Doppler : 半導体 : 理論と不安定性

有住徹弥, 梅野正義, 岩井荘八

原稿種別: 本文
セッションID: 6p-C-10
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_21

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電界効果型ソジコン : 半導体 : 理論と不安定性

有住徹弥, 梅野正義, 橋本雅文

原稿種別: 本文
セッションID: 6p-C-11
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_22

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シリコン太陽電池のγ線による損傷(II) : 半導体 : 理論と不安定性

宇佐見晶, 坂元正義

原稿種別: 本文
セッションID: 7a-C-1
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_23

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Si pin-diodeの負性抵抗と発振現象 : 半導体 : 理論と不安定性

庄野克彦

原稿種別: 本文
セッションID: 7a-C-2
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_24

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磁界中のGe Sliceの電気振動IV : Instabilityの成長条件と周波数 : 半導体 : 理論と不安定性

有留宏明, 梶村皓二, 宮崎和彦, 山口次郎

原稿種別: 本文
セッションID: 7a-C-3
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_25

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磁界中のGe Sliceの電気振動V : 電気伝導と発振 : 半導体 : 理論と不安定性

宮崎和彦, 池田勇, 山口次郎

原稿種別: 本文
セッションID: 7a-C-4
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_26

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磁界中のGe Sliceの電気振動VI : 発振周波数 : 半導体 : 理論と不安定性

渡辺紘也, 松下賢二, 宮崎和彦, 山口次郎

原稿種別: 本文
セッションID: 7a-C-5
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_27

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ビスマスの自己磁氣抵抗効果 : 半導体 : 輸送

田中昭二, 片山良史, 神谷武志

原稿種別: 本文
セッションID: 7p-C-1
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_28

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Biの音響電磁効果 : 半導体 : 輸送

山田敏之

原稿種別: 本文
セッションID: 7p-C-2
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_29

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SiとGeにおける高密度相の構造と電気的性質 : 半導体 : 輸送

箕村茂, 岡田敏, 長崎浩

原稿種別: 本文
セッションID: 7p-C-3
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_30

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半導体のピエゾ抵抗効果 : 半導体 : 輸送

有住徹弥, 吉田明, 家田信明

原稿種別: 本文
セッションID: 7p-C-4
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_31

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Ge-Si合金のHall易動度(p-型) : 半導体 : 輸送

石田修一, 大塚エイ三

原稿種別: 本文
セッションID: 7p-C-5
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_32

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Si多結晶の電気的性質 : I. 構造と熱処理による変化 : 半導体 : 輸送

山県恭造, 永田康

原稿種別: 本文
セッションID: 7p-C-6
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_33

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Si多結晶の電気的性質 : II. 直流的性質 : 半導体 : 輸送

山県恭造, 永田康

原稿種別: 本文
セッションID: 7p-C-7
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_34

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Si多結晶の電気的性質 : III. 交流的性質及び光電気伝導 : 半導体 : 輸送

山県恭造, 永田康

原稿種別: 本文
セッションID: 7p-C-8
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_35

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空気中で劈開したSi表面の電気的性質 : 半導体 : 輸送

佐藤収一, 川路紳治, 小林秋男

原稿種別: 本文
セッションID: 7p-C-9
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_36

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Si単結晶の転移と酸素の結合 : 半導体 : 輸送

安川忠正, 柳山修

原稿種別: 本文
セッションID: 7p-C-10
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_37

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p-InSb電流磁気効果の異方性(4) : 可能な等エネルギー面 : 半導体 : 輸送

大村八通, 宮沢久雄

原稿種別: 本文
セッションID: 7p-C-11
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_38

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SiO_2膜の性質I : 半導体

三浦義男, 田中繁三

原稿種別: 本文
セッションID: 8a-B-1
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_39

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M-O-Sダイオードと表面準位 : 半導体

堀内司朗, 佐々見輝歳, 木村博, 山口次郎

原稿種別: 本文
セッションID: 8a-B-2
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_40

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MOSダイオードの光応答 : 半導体

小宮祥男, 垂井康夫

原稿種別: 本文
セッションID: 8a-B-3
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_41

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STAIN FILMの酸化(I) : 半導体

岩佐仁雄, 沢田良治, 高柳重敏

原稿種別: 本文
セッションID: 8a-B-4
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_42

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STAIN FILMの酸化(II) : 半導体

吉岡敏, 高柳重敏

原稿種別: 本文
セッションID: 8a-B-5
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_43

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Si-SiO_2の構造 : 半導体

菅野卓雄, 岩沢六夫

原稿種別: 本文
セッションID: 8a-B-6
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_44

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非晶質Ge蒸着膜の特異性について : 半導体

伊藤謙太郎, 酒井善雄

原稿種別: 本文
セッションID: 8a-B-7
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_45

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せまい表面空間電荷層内のキャリア移動度に対する磁場の効果 : 半導体

川路紳治, H. HUFF, H. C GATOS

原稿種別: 本文
セッションID: 8a-B-8
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_46

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InSb薄膜の電気的特性 : 半導体

竹田俊幸, 梶原康也, 植田親広

原稿種別: 本文
セッションID: 8a-B-9
発行日: 1965/04/06
公開日: 2018/03/29

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1965.2.0_47

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