春の分科会予稿集

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1972.2

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表紙

原稿種別: 表紙
p. Cover1-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_Cover1

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目次

原稿種別: 目次
p. 2-i
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_2_1

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3a-H-1 Cyclotron Resonance Harmonies in n-Type InSb

杉原硬

原稿種別: Article
p. 1-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_1_1

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3a-H-3 サイクロトロン共鳴における励起子効果

大山忠司, 真田淑, 大塚エイ三

原稿種別: 本文
p. 1-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_1_2

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3a-H-4 ポーラロンのサイクロトロン共鳴の温度依存性 : AgBr

田村博, 眞隅泰三

原稿種別: 本文
p. 2-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_2_2

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3a-H-5 ポーラロンの熱起電力の理論 : バンド型よりホッピング型まで

住斉

原稿種別: 本文
p. 2-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_2_3

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3a-H-6 LCAO MO法によるシリコンにおけるS+ドナーの電子状態

清水立生, 南克彦

原稿種別: 本文
p. 3-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_3_1

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3a-H-7 EPRによるII-VI半導体混晶の研究(I)

井上正, Huang C. Y.

原稿種別: 本文
p. 3-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_3_2

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3a-H-8 イオン打込みSiに於ける欠陥のESR

市田憲治, 長谷川誠一, 清水立生

原稿種別: 本文
p. 4-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_4_1

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3a-H-9 イオン打込みSiの伝導電子のESR線幅

長谷川誠一, 市田憲治, 清水立生

原稿種別: 本文
p. 4-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_4_2

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3a-H-10 n-Geの遠赤外再結合発光

堀居賢樹, 西田良男

原稿種別: 本文
p. 5-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_5_1

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3a-H-11 p-Siにおける超音波吸収の磁場によるクエンチング

石黒武彦, 鈴木克生, 脇信也, 御子柴宣夫

原稿種別: 本文
p. 5-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_5_2

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3a-H-12 高濃度域N型SiのESR線型

長島弘幸, 松浦悦之

原稿種別: 本文
p. 6-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_6_1

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3a-H-13 n型Geの高濃度域のESRと抵抗変化

恩田美智絵, 森垣和夫

原稿種別: 本文
p. 6-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_6_2

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3a-H-14 高濃度不純物半導体におけるバンド電子と局在電子の共存

森垣和夫, 米沢富美子

原稿種別: 本文
p. 7-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_7_1

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3a-H-15 不純物伝導と補償

佐々木亘, 松井誠

原稿種別: 本文
p. 7-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_7_2

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3a-H-16 SiのNMR

佐々木亘, 小林俊一, 池畑誠一郎

原稿種別: 本文
p. 8-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_8_1

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3a-H-17 n型シリコンの中間濃度域不純物伝導

木下攘止, 山内睦子

原稿種別: 本文
p. 8-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_8_2

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3a-H-18 活性化エネルギーの電場依存性

藤田安彦, 篠原正三

原稿種別: 本文
p. 9-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_9_1

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3p-H-1 Ge(000)valleyのBand Tail III

沢木宣彦, 吉田明, 有住徹弥

原稿種別: 本文
p. 9-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_9_2

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3p-H-3 n-InSbのBand Tailingとホール効果 : 実験

小林駿介, 渡辺光邦

原稿種別: 本文
p. 10-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_10_1

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3p-H-5 n-InSbの不純物光伝導スペクトルの電界,光強度依存性

西田良男, 細松春夫

原稿種別: 本文
p. 10-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_10_2

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3p-H-6 n-InSbのパルス電場変調サイクロトロン共鳴

小林啓介, 大塚エイ三, 石田修一

原稿種別: 本文
p. 11-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_11_1

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3p-H-8 Ge(Sb)の遠赤外光伝導の二つの機構

長坂啓吾, 成田信一郎

原稿種別: 本文
p. 11-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_11_2

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3p-H-9 ドナー吸収スペクトルの濃度効果

今竹晃子

原稿種別: 本文
p. 12-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_12_1

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3p-H-10 Moduiation Spectroscopyにおける電子的割算装置

佐々木芳朗, 山田正良, 浜口智尋, 中井順吉

原稿種別: 本文
p. 12-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_12_2

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3p-H-11 GaSoのElectrorereflectance(II)

佐々木芳朗, 浜口智尋, 中井順吉

原稿種別: 本文
p. 13-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_13_1

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3p-H-12 2次元Electro-optical効果におけるbroadening

奥山雅則, 西野種夫, 浜川圭弘

原稿種別: 本文
p. 13-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_13_2

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3p-H-13 高密度励起GaSeの発光と基礎吸収

黒田規敬, 中名生充, 仁科雄一郎

原稿種別: 本文
p. 14-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_14_1

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3p-H-14 Bi_2Se_3のelectroreflectance

谷口研二, 森谷明弘, 浜口智尋, 中井順吉

原稿種別: 本文
p. 14-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_14_2

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3p-H-15 光起電力のλ-modulation

西野種夫, 浜川圭弘

原稿種別: 本文
p. 15-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_15_1

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3p-H-16 磁場中半導体プラズマからの光散乱

片山信一, 沢田康次

原稿種別: 本文
p. 15-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_15_2

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3p-H-17 HgTeとHgSeのthermoreflectance

森谷明弘, 笹谷幸裕, 近藤和夫, 浜口智尋, 中井順吉

原稿種別: 本文
p. 16-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_16_1

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4a-H-1 層状キャリアによる高純度半導体の電流輸送 I

大見忠弘, 児玉利一

原稿種別: 本文
p. 16-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_16_2

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4a-H-2 層状キャリヤによる高純度半導体の電流輸送 II

大見忠弘, 児玉利一, 神山英明

原稿種別: 本文
p. 17-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_17_1

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4a-H-3 Si-MOS反転層内正孔のエネルギ分散

前田甫

原稿種別: 本文
p. 17-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_17_2

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4a-H-4 Si MOS反転層内二次元不純物状態

片山良史, 小寺信夫, 吉田功, 小松原毅一

原稿種別: 本文
p. 18-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_18_1

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4a-H-5 n-Si反転層内のMagnetoconductivity

小林嶺夫, 小松原毅一

原稿種別: 本文
p. 18-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_18_2

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4a-H-6 InAs表面異常伝導の縦電場効果

川口洋一, 加藤秀明, 川路紳治

原稿種別: 本文
p. 19-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_19_1

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4a-H-9 n型CdCr_2Se_4の電気的・時期的性質

山崎卓, 橋本巍洲

原稿種別: 本文
p. 19-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_19_2

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4a-H-10 CdIn_<2(1-x)>Cr_<2x>S_4の磁気的および電気的性質(I)

岩井崇, 遠藤三郎, 桐畑文明, 入江泰三

原稿種別: 本文
p. 20-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_20_1

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4a-H-11 CoCr_2S_4,FeCr_2S_4の磁気抵抗効果

渡辺恒夫, 中田一郎

原稿種別: 本文
p. 20-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_20_2

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4a-H-12 HgCr_2Se_4の電気的、光学的性質 II

若木守明, 新井敏弘, 工藤恵栄

原稿種別: 本文
p. 21-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_21_1

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4a-H-13 半導体中の固有間接交換相互作用

中山正敏

原稿種別: 本文
p. 21-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_21_2

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4a-H-14 CdIn_2S_4のバンド構造 II

甲木伸一

原稿種別: 本文
p. 22-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_22_1

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4p-H-2 不純物伝導とamorphaus半導体

佐々木亘

原稿種別: 本文
p. 22-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_22_2

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4p-H-3 回折現象より見た非晶質の構造

柿木二郎

原稿種別: 本文
p. 23-24
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_23

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4p-H-4 ガラスの電気物性と組織構造

並河洋

原稿種別: 本文
p. 25-
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_25_1

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4p-H-5 非晶質半導体の電気的および光学的性質

山田祥二

原稿種別: 本文
p. 25-26
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_25_2

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4p-H-8 アモルファス半導体は役に立つか? : 応用上の諸問題

菊池誠

原稿種別: 本文
p. 27-28
発行日: 1972/04/03
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoe.1972.2.0_27

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