日本物理学会分科会講演予稿集

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後続誌

昭和28

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表紙

原稿種別: 表紙
p. Cover1-
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_Cover1

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目次

原稿種別: 目次
p. Toc1-
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_Toc1

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29.I.1 薄膜の吸湿特性と表面電氣傳導の変化について

川崎弘司, 関田吉泰, 加納享一, 海老沢重雄

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.1
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_1

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29.I.2 亜硫化銅の電気伝導について

横田伊佐秋, 宮谷信也

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.2
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_5

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29.I.3 亜硫化銅の凝集エネルギー

小林正一

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.3
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_11

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29.I.4 有機半導体の光伝導度

井口洋夫, 赤松秀雄

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.4
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_12

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29.I.5 Co,Mn酸化物半導体の熱処理

青木育雄

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.5
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_14

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29.I.6 夛結晶黒鉛の電氣伝導(1)

杉原俊介, 前田禎造

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.6
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_17

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29.I.7 Contact Noiseの理論に就いて

犬石嘉雄

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.7
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_20

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29.I.8 強電場における電気伝導度の変分による計算

黒沢達美

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.8
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_23

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29.I.10 絶縁性結晶における電子雪崩の生成について

川村肇

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.10
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_25

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29.I.11 酸化アルミニウムの電気的破壊強度と厚さとの関係(II)

東和子, 川村肇

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.11
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_26

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29.I.12 絶縁破壊直前に生ずる電子雪崩の分布について(II)

大貫正美, 川村肇

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.12
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_29

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29.I.13 固体の絶縁破壊前駆現象について

山中千代衛, 吹田徳雄

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.13
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_32

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29.I.14 結晶絶縁破壊の遅れと高電界易動度

犬石嘉雄, 吹田徳雄

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.14
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_33

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29.I.15 KBrの絶縁破壊のformative time lagについて

大倉〓, 川村肇

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.15
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_36

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29.I.16 高温領域型絶縁破壊の時間のおくれについて

戸村正夫, 菊池武雄, 大塚エイミ

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.16
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_40

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29.I.17 ガラスの絶縁破壊とその時間的遅れ

菊池武雄, 戸村正夫, 大塚エイミ

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.17
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_43

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29.I.18 結晶絶縁破壊に於ける空間電荷(I)

吹田徳雄, 犬石嘉雄, 伊藤憲昭

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.18
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_45

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29.I.19 結晶絶縁破壊に於ける空間電荷(II)

犬石嘉雄, 吹田徳雄

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.19
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_46

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29.I.20 絶縁に於ける絶縁破壊値の方向による変化(V)

吹田徳雄, 伊藤憲昭

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.20
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_47

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29.I.21 固体のマイクロ波放電

柴田俊一, 吹田徳雄

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.21
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_49

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29.I.22 方解石の絶縁破壊(III)

阪口清和, 吹田徳雄

原稿種別: 本文
セッションID: 29.I.22
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_51

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30.I.1 硫化ビスマスの光導効果に就て(半導体)

吉田梅次郎, 浅居ちか

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.1
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_53_1

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30.I.2 半導体膜の光電効果竝びに整流作用(第11報) : 硫化クリウム膜の整流特性に及ぼす圧力の影響(半導体)

浅居ちか

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.2
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_53_2

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30.I.3 有機薄膜を堰層とするセレン整流器の靜電容量特性(半導体)

山口次郎, 金沢忠雄, 宮内武

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.3
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_57

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30.I.4 有機薄膜を堰層とするセレン整流器靜特性(半導体)

山口次郎, 宮内武, 金沢忠雄

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.4
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_58

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30.I.5 単結晶酸化銅整流器の正方向特性(半導体)

山口次郎, 宮内武, 鎌田隆好

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.5
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_60

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30.I.6 単結晶酸化銅整流器の逆方向特性(半導体)

山口次郎, 宮内武, 鎌田隆好

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.6
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_61

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30.I.7 酸化亜鉛整流器(半導体)

山口次郎, 宮内武, 松原信吉, 小林貞男

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.7
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_63

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30.I.8 セレニウム整流器の劣化現象(半導体)

岡崎篤義, 松倉保夫, 山本隆一

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.8
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_64

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30.I.9 金属整流器の零バイヤス抵抗の温度変化(半導体)

岡崎篤義, 坪田弘, 鈴木弘道

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.9
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_66

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30.I.10 セレニウム膜の結晶化(半導体)

岡崎篤義, 橋本公夫, 横矢定行

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.10
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_67

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30.I.11 金属整流器の破壊(半導体)

岡崎篤義, 松倉保夫, 山本隆一

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.11
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_69

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30.I.12 半導体整流器の堰層における電場効果と電気破壊現象について(半導体)

小野満雄

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.12
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_72_1

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30.I.13 Seの遷移抵抗について(半導体)

戸村正夫, 大塚エイミ, 桑形正博

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.13
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_72_2

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30.I.14 半導体セレン化鉛の電導機構について(半導体)

平原栄治, 村上幸

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.14
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_74

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30.I.15 極低温度にお於けるテルルの電気的性質(半導体)

袋井忠夫, 田沼靜一, 武藤芳雄

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.15
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_75_1

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30.I.16 固有型半導体に於ける格子欠陥生成の熱動電力に及ぼす影響(半導体)

田沼靜一

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.16
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_75_2

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30.I.17 Silicocarbonの研究(III) : X線廻折と電気的性質(半導体)

鳩山道夫, 佐々木亘, 石井善正

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.17
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_77

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30.I.18 Silicocarbonの研究(IV) : 質量の変化と赤外線スペクトルによる実験(半導体)

鳩山道夫, 佐々木亘, 米本理, 垂井康夫

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.18
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_80

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30.I.19 結晶整流器の光電餘効 : I. 実験(半導体)

菊池誠, 大西富雄

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.19
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_82

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30.I.20 結晶整流器の光電餘効 : II. モデル的検討(半導体)

菊池誠

原稿種別: 本文
セッションID: 30.I.20
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_84

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1.I.1 ゲルマニウム整流器のフオーミングと拡散ポテンシアルの変化について(半導体)

新美達也

原稿種別: 本文
セッションID: 1.I.1
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_87

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1.I.2 点接触型トランジスターの特性の温度変化に就いて(半導体)

岩瀬新午, 冨永大雄

原稿種別: 本文
セッションID: 1.I.2
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_90

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1.I.3 ゲルマニウム単結晶の不純物分布に就いて(半導体)

岩瀬新午

原稿種別: 本文
セッションID: 1.I.3
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_91

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1.I.4 P-N Junctionの性質について(半導体)

岩瀬新午, 浅川俊文

原稿種別: 本文
セッションID: 1.I.4
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_92

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1.I.5 Geの熱電能(II)(半導体)

佐々木亘, 久野美津子

原稿種別: 本文
セッションID: 1.I.5
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_94

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1.I.6 N-type Germaniumへのhole injectionに就て : Einstein関係式の新しい実験的検證(半導体)

江崎玲於奈

原稿種別: 本文
セッションID: 1.I.6
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_96

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1.I.7 n-型Ge内の正孔の寿命について(半導体)

金井康夫

原稿種別: 本文
セッションID: 1.I.7
発行日: 1953/04/29
公開日: 2018/03/27

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyof.1953.I.0_99

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