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35.2

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28a-A-4 二光子共鳴Raman散乱と励起子ポラリトン

野末泰夫, 上田正康

原稿種別: 本文
p. 121-122
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_121

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28a-A-5 パルス・ポラリトンの伝播

瀬川勇三郎, 青柳克信, 難波進

原稿種別: 本文
p. 123-124
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_123

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28a-D-1 結晶化からみたアモルファスGe-TeのLocal Order

岡部俊夫, 中川正之

原稿種別: 本文
p. 125-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_125_1

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28a-D-2 非晶質Se-Geの構造に関する分光学的研

川村肇, 松村政博, 潮田資勝

原稿種別: 本文
p. 125-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_125_2

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28a-D-3 a-As_xSe_<100-x>(0≦x≦50)反射スペクトルの成分依存性

北原正, 新井敏弘

原稿種別: 本文
p. 126-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_126_1

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28a-D-4 アモルファスAs-Se系の光伝導特性

大成誠之助, 山本一彦, 北原正, 新井敏弘

原稿種別: 本文
p. 126-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_126_2

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28a-D-5 As_2S_3蒸着膜のアニール及び光照射による価電子構造の変化

高橋隆, 原田義成

原稿種別: 本文
p. 127-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_127_1

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28a-D-6 カルコゲナイドガラスの螢光への光構造変化の効果

村山和郎, 木村薫, 二宮敏行

原稿種別: 本文
p. 127-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_127_2

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28a-D-8 As_2Se_3単結晶の熱起電力

喜多尾道火児, 堀池樹, 山田祥二

原稿種別: 本文
p. 128-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_128_1

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28a-D-10 NbS_3のラマン散乱

和泉充, 関根智幸, 内野倉国光, 松浦悦之

原稿種別: 本文
p. 128-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_128_2

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28a-D-11 新低次元導体ZrTex

岡田重人, 伊土政幸, 三本木孝

原稿種別: 本文
p. 129-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_129_1

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28a-D-12 NbSe_3のバンド計算

島信幸, 塚田捷

原稿種別: 本文
p. 129-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_129_2

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28a-E-1 黒リン(半導体)のエネルギーバンド構造 II

朝比奈秀夫, 進藤浩一, 森田章

原稿種別: 本文
p. 130-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_130_1

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28a-E-2 黒リン(半導体)のエネルギーバンド構造 I

高尾幸弘, 森田章

原稿種別: 本文
p. 130-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_130_2

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28a-E-3 シリコンMOSFETの遠赤外分光伝導特性

岡本弘, 室清文, 成田信一郎, 川路紳治

原稿種別: 本文
p. 131-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_131_1

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28a-E-4 パルス強磁場におけるSiMOS-FETのシュブニコフード・ハース効果 II

板倉徹, 木戸義勇, 三浦登

原稿種別: 本文
p. 131-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_131_2

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28a-E-5 Si-MOS反転層の強磁場ホール効果の温度依存

若林淳一, 川路紳治

原稿種別: 本文
p. 132-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_132_1

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28a-E-6 Si-MOS反転層の負磁気抵抗効果とアンダーソン局在

河口洋一, 川路紳治

原稿種別: 本文
p. 132-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_132_2

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28a-E-7 CdSnAs_2結晶の表面蓄積層における二次元量子化準位

中島裕一, 河股俊典, 白川二, 中井順吉

原稿種別: 本文
p. 133-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_133_1

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28a-E-8 微小ギャプ半導体表面のn型反転層のサブバンド構造と光吸収スペクトル

高田康民

原稿種別: 本文
p. 133-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_133_2

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28a-E-9 シンクロトロン放射によるAl/Si界面の研究

小林啓介, Gerken F., Barth J., Kunz C.

原稿種別: 本文
p. 134-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_134_1

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28a-E-10 AESによるNi-sililcide/Si界面の解析とその特性

岩見基弘, 亀井聡一郎, 奥野和彦, 伊藤利道, 平木昭夫

原稿種別: 本文
p. 134-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_134_2

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28a-E-11 パルス強磁場下におけるBi及びBi-Sb混晶の磁気光学反射

比留間健之, 木戸義勇, 三浦登, 河内一芳

原稿種別: 本文
p. 135-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_135_1

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28a-E-12 MOS電荷層の電子状態に対するOS界面の影響

中山正敏

原稿種別: 本文
p. 135-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_135_2

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28a-H-1 2BaO 1.88ZnO 0.12FeO 6Fe_2O_3のSeebeck効果

清水大, 三田優

原稿種別: 本文
p. 136-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_136_1

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28a-H-2 2BaO 1.88ZnO 0.12FeO 6Fe_2O_3の磁気共鳴と電気伝導

清水大, 三田優

原稿種別: 本文
p. 136-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_136_2

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28a-H-3 縮退磁性半導体の磁気測定

大島序人, Fun H.K., 立川敏明, 井上正, 八木寿郎

原稿種別: 本文
p. 137-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_137_1

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28a-H-4 縮退磁性半導体Sn_<1-x>Mn_xTe系の磁気的転移

立川敏明, 福岡優, Fun H.K., 井上正, 八木寿郎

原稿種別: 本文
p. 137-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_137_2

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28a-H-5 縮退磁性半導体の電気的測定

森崎元司, Fun H.K., 立川敏明, 井上正, 八木寿郎

原稿種別: 本文
p. 138-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_138_1

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28a-H-8 磁性半導体CdCr_2Se_4の不純物準位

濱嶋俊樹, 寺澤久雄, 神原武志, 権平健一郎

原稿種別: 本文
p. 138-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_138_2

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28a-H-9 Smカルコゲナイドの価数揺動状態

落合明, 上條敦, 川上正之, 鈴木孝, 糟谷忠雄

原稿種別: 本文
p. 139-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_139_1

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28a-H-10 C-doped EuTeの磁性と伝導

世良正文, 山口貞衛, 鈴木孝, 糟谷忠雄

原稿種別: 本文
p. 139-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_139_2

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28a-H-11 EuSeの交流電導度

国井暁, 福間寛, 糟谷忠雄

原稿種別: 本文
p. 140-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_140_1

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28a-H-12 Gd_<3-x>□_xS_4(x〜1/3)の磁性と伝導 IV

上條敦, 落合明, 高瀬章雄, 藤田敏三, 鈴木孝, 糟谷忠雄

原稿種別: 本文
p. 140-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_140_2

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28a-H-13 強磁性半導体に於ける伝導帯と伝導電子 I

高橋正雄, 柳瀬 , 糟谷

原稿種別: 本文
p. 141-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_141_1

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29a-D-1 アモルファス Si-H 合金の圧力誘起非金属-金属転移

辻和彦, 石黒浩史, 大柳宏之, 箕村茂

原稿種別: 本文
p. 141-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_141_2

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29a-D-2 水素化アモルファスSiのNMR

上田庄一, 清水立生

原稿種別: 本文
p. 142-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_142_1

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29a-D-3 水素又は重水素の高線量イオン注入法によるa-Si: H(D)の製作

井村健, 茂木和久, 久保田和芳, 薮田明, 平木昭夫, 佐藤守

原稿種別: 本文
p. 142-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_142_2

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29a-D-5 Kr, Neなど希ガス中でのスパッターによるa-Siの製作

井村健, 牛田克己, 久保田和芳, 福島祥人, 平木昭夫

原稿種別: 本文
p. 143-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_143_1

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29a-D-6 XPSによるa-Si_xC_<1-x>: Hの結合状態の検討 (II)

嶋田寿一, 片山良史, 宇佐美勝久

原稿種別: 本文
p. 143-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_143_2

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29a-D-7 GD A-Siにおけるスピンに依存した非輻射再結合

森垣和夫, 平林泉

原稿種別: 本文
p. 144-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_144_1

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29a-D-8 GDa-Siの光誘起変化 II

岡安良宣, 金粒三, 成田信一郎

原稿種別: 本文
p. 144-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_144_2

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29a-D-9 GD-a-Siにおけるルミネッセンスの疲労現象

平林泉, 中山優, 森垣和夫, 仁田昌二, 嶋川晃一

原稿種別: 本文
p. 145-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_145_1

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29a-D-10 アモルファスSi-Au系の磁気抵抗効果

津金祥生, 森垣和夫, 永嶋千恵子

原稿種別: 本文
p. 145-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_145_2

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29a-D-11 非晶貭Si, Geホイスカの結晶化

巽勇吉, 山田和義, 平田光児

原稿種別: 本文
p. 146-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_146_1

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29a-D-13 CPAによる非晶質半導体の帯間光吸収スペクトル

阿部修治, 豊沢豊

原稿種別: 本文
p. 146-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_146_2

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29a-E-1 Rb-グラファイト層間化合物の低温比熱

菅沼幹裕, 水谷宇一郎, 近藤保

原稿種別: 本文
p. 147-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_147_1

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PDF形式でダウンロード (200K)
29a-E-2 アルカリ-グラファイト層間化合物の相転移 II

寿栄松宏仁, 鈴木正継, 池田宏信

原稿種別: 本文
p. 147-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_147_2

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29a-E-3 リチウム・グラファイト層間化合物CbLiの電子構造

大野隆央

原稿種別: 本文
p. 148-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_148_1

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29a-E-4 グラファイト層間化合物間の相互作用について

大西楢平, 菅野暁, 塚田捷

原稿種別: 本文
p. 148-
発行日: 1980/03/12
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.35.2.0_148_2

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