秋の分科会予稿集

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後続誌

1966.2

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レーザー光によるアルカリアンチモンの光電子放出(III) : 量子エレクトロニクス : 非線形光電効果

今村舜仁, 志賀史典, 木下幸次郎, 鈴木健夫

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-D-3
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_29_1

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多重光子吸収による光電導の実験 : 量子エレクトロニクス : 非線形光電効果

吉野勝美, 川辺和夫, 犬石嘉雄

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-D-4
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_29_2

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光ポンピングしたルビー・ロッドのマイクロ波応答 : 量子エレクトロニクス : レーザー作用の分光学的測定

日高建彦, 稲場文男

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-D-6
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_30_1

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HeのOptical Pumping II : 量子エレクトロニクス : 光ポンピング

安東滋, 久保高啓, 大川清人, 西川啓, 宮沢淑子

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-D-7
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_30_2

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アルカリ金属によるポンピング光の変調IV : 量子エレクトロニクス : 光ポンピング

藪崎努, 中段和宏, 小川徹

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-D-8
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_31_1

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P型PbSeのファラディ効果 : 半導体・イオン結晶・光物性

栗田進

原稿種別: 本文
セッションID: 12a-E-1
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_31_2

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GaSeのFaraday效果とBand Parameter : 半導体・イオン結晶・光物性

仁科雄一郎, 栗田進, 菅野暁

原稿種別: 本文
セッションID: 12a-E-2
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_32_1

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GaAsの磁気光吸収 : 半導体・イオン結晶・光物性

小林融弘, 成田信一郎

原稿種別: 本文
セッションID: 12a-E-3
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_32_2

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Pulse 高磁場によるファラデー効果 : 半導体・イオン結晶・光物性

成田信一郎, 浅尾武史, 小林融弘

原稿種別: 本文
セッションID: 12a-E-4
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_33_1

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GaAsのファラデー効果 : 半導体・イオン結晶・光物性

成田信一郎, 柴谷章雄, 林君民, 中谷栄作

原稿種別: 本文
セッションID: 12a-E-5
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_33_2

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InAsの磁気光効果II : 半導体・イオン結晶・光物性

安達栄一

原稿種別: 本文
セッションID: 12a-E-6
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_34_1

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極性結晶のファラデー回転分散 : 半導体・イオン結晶・光物性

国府田隆夫, 三谷忠興

原稿種別: 本文
セッションID: 12a-E-7
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_34_2

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帯間磁気光吸収における奇妙な振舞い : 半導体・イオン結晶・光物性

中尾憲司, 上村彬

原稿種別: 本文
セッションID: 12a-E-8
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_35_1

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ドナー不純物を過剰に含むZnS結晶のESR : 半導体・イオン結晶・光物性

杉本泰, 丸山哲男, 河合博夫

原稿種別: 本文
セッションID: 12a-E-9
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_35_2

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II-V族化合物中の不純物によるESR(II) : 半導体・イオン結晶・光物性

上原良, 多木敏彦, 坊博

原稿種別: 本文
セッションID: 12a-E-10
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_36_1

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Cuで補償されにn-GaAsの電子寿命 : 半導体・イオン結晶・光物性

白藤純嗣

原稿種別: 本文
セッションID: 12p-E-1
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_36_2

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n型GaAs中のトラップ : 半導体・イオン結晶・光物性

杉山耕一

原稿種別: 本文
セッションID: 12p-E-2
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_37_1

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CdSの光学特性の温度依存性 : 半導体・イオン結晶・光物性

福井常勝, 飯島茂, 菊池誠

原稿種別: 本文
セッションID: 12p-E-3
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_37_2

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ZnTe,Cu(Ag)単結晶の光学的,電気的性質 : 半導体・イオン結晶・光物性

原田宙幸, 長坂啓吾, 成田信一郎

原稿種別: 本文
セッションID: 12p-E-4
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_38_1

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Ag_2(S,Se)の赤外吸收 : 半導体・イオン結晶・光物性

飯田恵一, 宮谷信也

原稿種別: 本文
セッションID: 12p-E-5
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_38_2

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ピエゾ散乱電子の赤外吸收の計算 : 半導体・イオン結晶・光物性

長谷恒康

原稿種別: 本文
セッションID: 12p-E-6
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_39_1

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Gepn接合の圧力効果 : 深い準位 : 半導体・イオン結晶・光物性

松倉保夫

原稿種別: 本文
セッションID: 12p-E-7
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_39_2

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Si-P-N Junction のGeneration-Recombination Center IV : 半導体・イオン結晶・光物性

佐藤収一, 川路紳治

原稿種別: 本文
セッションID: 12p-E-8
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_40_1

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GaAs発光ダイオードのrecombination lifetime Tの温度依存性 : 半導体・イオン結晶・光物性

藤川恭一郎, 中野隆生

原稿種別: 本文
セッションID: 12p-E-9
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_40_2

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GaAsダイオードの放射線効果 : 半導体・イオン結晶・光物性

川端秀次, 佐治学, 犬石嘉男

原稿種別: 本文
セッションID: 12p-E-10
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_41_1

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フォトダイオードのマイクロ波特性 I : 半導体・イオン結晶・光物性

瀬野英雄, 竹山幹夫

原稿種別: 本文
セッションID: 12p-E-11
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_41_2

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SiC p-n接合のEL : 半導体・イオン結晶・光物性

香崎〓博, 吉沢達夫, 伊吹順章, 岡田武夫

原稿種別: 本文
セッションID: 12p-E-12
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_42_1

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GaPの気相成長(II) : 半導体 : 結晶,表面

赤崎勇, 原徹

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-A-1
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_42_2

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GaAsの熱処理効果,As蒸気中での熱処理 : 半導体 : 結晶,表面

外山正春

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-A-2
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_43_1

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GaAs中のZnの拡散 : 半導体 : 結晶,表面

藤本正友, 佐藤安夫, 工藤冽

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-A-3
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_43_2

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SiOで覆われたGaAsの表面 : 半導体 : 結晶,表面

佐藤安夫

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-A-4
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_44_1

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SiO_2の気相成長 : 半導体 : 結晶,表面

羽田祐一, 中沼尚

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-A-5
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_44_2

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Si-SiO_2境界面に於ける電気的性貭 (III) : 半導体 : 結晶,表面

河村信雄, 岩崎英雄

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-A-6
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_45_1

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Si-SiO_2境界の性貭 IV : 半導体 : 結晶,表面

三浦義男, 松倉保夫

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-A-7
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_45_2

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Si-SiO_2の境界 : 半導体 : 結晶,表面

中井康雄, 山岸春生

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-A-8
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_46_1

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Siの表面電位ともの温度依存性 : 半導体 : 結晶,表面

山岸春生

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-A-9
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_46_2

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Si(III)清浮表面の酸素吸着 : 低速電子線回折 : 半導体 : 結晶,表面

武石喜幸, 佐々木勲

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-A-10
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_47_1

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還元されたBaTiO_3 : La素のESR : 半導体 : 雑

竹田武司, 渡部昭典

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-B-1
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_47_2

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Si中の伝導電子によるESR.V : 半導体 : 雑

古寺博

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-B-2
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_48_1

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Siの伝導電子ESR (II) : 半導体 : 雑

有住徹弥, 和田隆夫, 水谷照吉, 柴田俊隆

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-B-3
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_48_2

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高温での半導体のESR : 半導体 : 雑

前川稠

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-B-4
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_49_1

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n-Geの強磁場での不純物伝導 III : 半導体 : 雑

生源寺希三郎

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-B-6
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_49_2

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不純物伝導と帶磁率 : 半導体 : 雑

佐々木亘, 前川稠, 木下譲止

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-B-7
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_50_1

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サイクロトロン共鳴を用いた中性不純物による捕獲と再結合の研究 : 半導体 : 雑

邑瀬和生, 大山忠司, 大塚エイ三

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-B-8
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_50_2

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"Non-Linear Transport Phenomena in AgCl and AgBr at High Electeric Field"

Taizo Masumi, Frederick C. Brown

原稿種別: Article
セッションID: 13a-B-9
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_51_1

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真性半導体負性抵抗領域の電流Path : 半導体 : 雑

飯島昌盛, 尾崎肇, 木俣守彦

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-B-10
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_51_2

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マイクロ波加熱によるホット・エレクトロンの異方性 : 半導体 : 雑

浜口智尋, 犬石嘉雄

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-B-11
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_52_1

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二担体系の強電場効果 : 濃度比 : 半導体 : 雑

前田甫

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-B-12
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_52_2

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励起子に於けるスピン軌道相互作用と交換相互作用 : イオン結晶・光物性 : 基礎吸収

小野寺嘉孝, 豊沢豊

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-E-1
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_53_1

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強磁場中の励起子 IV : 励起子帯の磁場変化 : イオン結晶・光物性 : 基礎吸収

長谷川洋, 秋元興一

原稿種別: 本文
セッションID: 13a-E-2
発行日: 1966/10/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1966.2.0_53_2

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