秋の分科会予稿集

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後続誌

1976.2

選択された号の論文の467件中1～50を表示しています

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[COVER]

原稿種別: 表紙
p. Cover1-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_Cover1

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目次

原稿種別: 目次
p. 2-i
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_2_1

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5a-B-1 層状半導体GaSeにおける共鳴ブリルアン散乱

和佐憲治, 山田正良, 浜口智尋

原稿種別: 本文
p. 1-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_1_1

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5a-B-2 Cdsの共鳴ブリルアン散乱と選択則の崩壊

安東考止, 山部紀久夫, 浜口智尋

原稿種別: 本文
p. 1-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_1_2

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5a-B-3 Cds単結晶のQL-フォノンによるブリルアン散乱

山部紀久夫, 安東考止, 浜口智尋

原稿種別: 本文
p. 2-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_2_2

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5a-B-4 II-IV族半導体Mg_2Siの共鳴ラマン散乱

大成誠之助, M.Cardona

原稿種別: 本文
p. 2-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_2_3

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5a-B-5 II-IV族半導体Mg_2Siの共鳴ラマン散乱

大成誠之助, M.Cardona

原稿種別: 本文
p. 3-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_3_1

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5a-B-6 II-IV族半導体Mg_2Siの共鳴ラマン散乱

大成誠之助, M.Cardona

原稿種別: 本文
p. 3-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_3_2

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5a-B-7 遷移金属カルコゲナイドの物性

田中昭二

原稿種別: 本文
p. 4-5
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_4

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5a-B-8 AgCuSeの200℃〜1000℃における電気的性質

三浦裕一, 宮谷信也

原稿種別: 本文
p. 6-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_6_1

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5a-B-9 Se,TeのRaman振動数の圧力依存性

青木勝敏, 箕村茂, 腰場直己, 対馬立郎

原稿種別: 本文
p. 6-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_6_2

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5a-B-10 遷移金属-ダイカルコゲナイド(1T-TaS_2)の電気伝導

谷俊朗, 長田俊彦, 田中昭二

原稿種別: 本文
p. 7-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_7_1

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5a-B-11 遷移金属カルコゲナイドの赤外・遠赤外スペクトル

内田慎一, 田中昭二

原稿種別: 本文
p. 7-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_7_2

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5a-B-12 遷移金属カルコゲナイドMX_2のストレス変調分光法

吉見信, 関根弘一, 斉木幸一郎, 田中昭二

原稿種別: 本文
p. 8-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_8_1

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5p-B-1 量子極限における半金属の不純物状態

杉原硬

原稿種別: 本文
p. 8-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_8_2

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5p-B-2 グラファイト・アルカリメタル層間化合物のバンド構造と電荷密度波の可能性

井下猛, 中尾憲司, 上村洸

原稿種別: 本文
p. 9-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_9_1

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5p-B-3 グラファイトの熱磁気テンソルの温度依存

大島久

原稿種別: 本文
p. 9-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_9_2

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5p-B-4 グラファイトのC軸方向電子輸送現象

大内芳明

原稿種別: 本文
p. 10-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_10_1

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5p-B-6 Biの量子限界における縦磁気抵抗と電子緩和時間

寿栄松宏仁, 田沼静一

原稿種別: 本文
p. 10-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_10_2

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5p-B-7 Bi-Sb合金の遠赤外磁気光吸収 II

金得守, 荒井洋生, 金粒三, 成田信一郎

原稿種別: 本文
p. 11-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_11_1

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5p-B-8 Bi-Sb合金の遠赤外磁気光吸収 III

金粒三, 金得守, 成田信一郎

原稿種別: 本文
p. 11-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_11_2

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5p-B-9 <5>族及び族結晶とHeine-Jones model

田中寛, 大越一郎, 進藤浩一

原稿種別: 本文
p. 12-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_12_1

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5p-B-10 IV-VI族半導体の構造不安定性と横有効電荷

片山信一, 川村肇

原稿種別: 本文
p. 12-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_12_2

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5p-B-11 SnTeのソフトTOフォノンによるラマン散乱

水貝俊治, 邑瀬和生, 川村肇

原稿種別: 本文
p. 13-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_13_1

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エピタキシャルSnTeの電気的性質

西山昭允, 黒田次郎

原稿種別: 本文
p. 13-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_13_2

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5p-B-13 Pb_<1-x>Sn_xTeのShubnikov-de Haas効果におけるスピンの影響

成田信一郎, 高藤裕

原稿種別: 本文
p. 14-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_14_1

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5p-B-14 Pb_<1-x>Sn_xTeの相転移とホール係数の異常

小林啓介, 嶋田寿一, 加藤寿喜, 片山良史, 小松原毅一

原稿種別: 本文
p. 14-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_14_2

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5p-B-15 Pb_<1-x>Sn_xTeのラマン散乱

嶋田寿一, 小林啓介, 片山良史, 小松原毅一

原稿種別: 本文
p. 15-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_15_1

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5p-B-16 (Pb,Ge)Teの相転移 II

鷹岡貞夫, 邑瀬昭生, 水貝俊治, 川村肇

原稿種別: 本文
p. 15-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_15_2

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5p-B-17 Pb_<1-x>Sn_xTeの格子の誘電率

西清次, 邑瀬和生, 川村肇

原稿種別: 本文
p. 16-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_16_1

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5p-B-18 Pb(Sn,Ge)Teの遠赤外磁気反射

西川哲, 邑瀬和生, 川村肇

原稿種別: 本文
p. 16-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_16_2

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5p-B-20 HgSeの赤外反射スペクトルと誘電関数

神宮寺要, 真鍋惇, 三石明善

原稿種別: 本文
p. 17-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_17_1

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5p-B-21 SnTe:Mnの磁気抵抗効果(II)

石井清明, 立川敏明, 井上正, 八木寿郎

原稿種別: 本文
p. 17-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_17_2

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5p-B-22 PbTe:MnのV band ESR

立川敏明, 高橋弘, 長谷川重弘, 井上正, 八木寿郎

原稿種別: 本文
p. 18-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_18

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6a-B-1 ゲルマニウムの電子-正孔液滴による超音波吸収

大山忠司

原稿種別: 本文
p. 19-20
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_19

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6a-B-2 Si:Pの励起子二電子遷移

中山弘, 西野種夫, 浜川圭弘

原稿種別: 本文
p. 21-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_21_1

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6a-B-3 束縛励起子の遠赤外磁気吸収

山中貢, 室清文, 成田信一郎

原稿種別: 本文
p. 21-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_21_2

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6a-B-4 一軸性応力下に於けるGe中の液滴の遠赤外磁気光吸収

室清文, 成田信一郎

原稿種別: 本文
p. 22-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_22_1

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6a-B-5 n型およびp型ゲルマニウムにおける電子・正孔の長い寿命

真田淑, 松下潔, 大山忠司, 大塚穎三

原稿種別: 本文
p. 22-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_22_2

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6a-B-6 Ge中の励起子,液滴の時間変化

中田博保, 藤井克正, 大山忠司, 大塚穎三

原稿種別: 本文
p. 23-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_23_1

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6a-B-7 n型反転層伝導電子の低温における局在化(II)

片山良史, 成田小二郎, 青木正明, 小松原毅一

原稿種別: 本文
p. 23-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_23_2

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6a-B-8 MOS-SOS反転層のサブバンド構造と電子移動度

畑中勝則, 中村孔一, 川路紳治, 恩賀伸二

原稿種別: 本文
p. 24-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_24_1

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6a-B-9 セシウム吸着シリコン表面反転層の強電界効果

北原洋明, 川口洋一, 川路紳治

原稿種別: 本文
p. 24-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_24_2

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6a-B-10 Csを吸着したMoS_2の表面電気伝導

安永均, J.M.Chen

原稿種別: 本文
p. 25-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_25_1

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6a-B-11 P型Hg_<1-x>Cd_xTe-表面反転層における遠赤外サイクロトロン共鳴

黒田隆男, 成田信一郎

原稿種別: 本文
p. 25-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_25_2

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6a-B-12 InSbのn-channel MOS反転層のサブバンド構造

荒井邦博, 植村泰忠

原稿種別: 本文
p. 26-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_26_1

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6a-B-13 分子軌道法による半導体表面の電子状態 II

西田昌彦, 石井信彦, 清水立生

原稿種別: 本文
p. 26-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_26_2

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6a-B-14 圧電半導体薄膜に於ける表面波増巾

田村信一郎, 佐久間哲郎

原稿種別: 本文
p. 27-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_27_1

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6a-B-15 CdS-LiNbO_3表面波コンボルバーの光照射効果におけるコンボリューション機構の考察

上田喜一, 白藤純嗣, 犬石嘉雄

原稿種別: 本文
p. 27-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_27_2

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6p-B-1 熱い電子に関連した二・三の特異な効果

黒沢達美

原稿種別: 本文
p. 28-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_28

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