秋の分科会予稿集

巻号一覧

後続誌

1976.2

選択された号の論文の467件中51～100を表示しています

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6p-B-2 Siの高電界効果

沢木宣彦, 西永頌

原稿種別: 本文
p. 29-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_29_1

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6p-B-3 電界印加フォルトミネセンスにおける電子分布の考察

竹中信之, 井上正崇, 白藤純嗣, 犬石嘉雄

原稿種別: 本文
p. 29-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_29_2

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6p-B-4 高電場、強磁場内で特有なポーラロンの伝導現象III

小宮山進, 梶田晃示, 真隅泰三

原稿種別: 本文
p. 30-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_30_1

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6p-B-5 強いマイクロ波でのサイクロトロン共鳴-phase focusing-について

黒沢達美

原稿種別: 本文
p. 30-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_30_2

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6p-B-7 二次元アモルファス系におけるトンネル状態と表面フォノンの相互作用

中山恒義

原稿種別: 本文
p. 31-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_31_1

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6p-B-8 石英ガラスの電子状態密度のモデル計算

武田敬二

原稿種別: 本文
p. 31-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_31_2

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6p-B-9 四族アモルファス半導体の構造に対するランダム・スタッキングモデル

明田雅昭, 米沢富美子

原稿種別: 本文
p. 32-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_32_1

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6p-B-10 SiH_4のグロー放電分解法によって作ったa-Siの活性化型AC伝導

仁田昌二, 嶋川晃一, 坂口鋼一

原稿種別: 本文
p. 32-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_32_2

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6p-B-11 高速フーリエ変換による非晶質半導体の低周波誘電率の評価

森正昭, 長崎康昌, 嶋川晃一, 仁田昌二

原稿種別: 本文
p. 33-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_33_1

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6p-B-12 X線光電子スペクトル(XPS)による非晶質Geの研究

大柳宏之, 下村理, 箕村茂

原稿種別: 本文
p. 33-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_33_2

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6p-B-13 非晶質半導体の電界効果

吉田明, 原田博

原稿種別: 本文
p. 34-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_34_1

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6p-B-14 極紫外光電子放出によるAs_xSe_<1-x>の価電子帯の研究

北原正, 工藤恵栄, 新井敏弘

原稿種別: 本文
p. 34-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_34_2

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6p-B-15 アモルファスSi-Au系のvariable range hoppingとESRによる抵抗変化

岸本直樹, 森垣和夫, 平本昭夫

原稿種別: 本文
p. 35-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_35_1

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6p-B-16 アモルファスSi-Au系の光吸収

岸本直樹, 森垣和夫, 平本昭夫

原稿種別: 本文
p. 35-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_35_2

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6p-B-17 アモルファスSi_<1-x>Au_xの誘電率異常

佐野正, 岩見基弘, 平木昭夫, 森垣和夫

原稿種別: 本文
p. 36-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_36_1

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6p-B-18 Auger分光法によるSi_<1-x>M_x(M=Au,Cu)の金属-非金属転移の観察

首藤和夫, 佐野正, 岩見基弘, 平木昭夫, 三枝隆男, 成沢忠

原稿種別: 本文
p. 36-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_36_2

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7a-B-1 反強磁性半導体MnTe_2の赤外物性

大成誠之助, 新井敏弘, 工藤恵栄

原稿種別: 本文
p. 37-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_37_1

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7a-B-2 YAGレーザー励磁によるCdTeのフォルトミネッセンス

今井繁規, 本郷昭三, 坊博

原稿種別: 本文
p. 37-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_37_2

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7a-B-3 n-CdSに於る遠赤光伝導

長坂啓吾, 成田信一郎, A.J.Sievers

原稿種別: 本文
p. 38-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_38_1

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7a-B-4 ZnTeのアクセプター準位間の光学遷移

高橋克夫, 服部武志, 中島信一, 三石明善

原稿種別: 本文
p. 38-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_38_2

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7a-B-5 半導体蒸着膜のCO_2レーザに対する光起電効果III

船田博, 本田光, 石川瑛

原稿種別: 本文
p. 39-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_39_1

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7a-B-6 直交する電磁場下でのInSbの再結合輻射

森本武, 贄川潤, 白井泰治

原稿種別: 本文
p. 39-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_39_2

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7a-B-7 高密度励起状態に於けるAgBrのサイクロトロン共鳴(II)

月岡邦夫, 真隅泰三

原稿種別: 本文
p. 40-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_40_1

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7a-B-8 n-InSbにおける遠赤外サイクロトロン共鳴の温度依存症

松田修, 大塚エイミ

原稿種別: 本文
p. 40-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_40_2

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7a-B-9 超強磁場におけるTe,CdS及びGe赤外サイクロトロン共鳴

木戸義勇, 三浦登, 河内一芳, 小黒勇, 近角聡信

原稿種別: 本文
p. 41-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_41_1

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7a-B-10 n-InSbにおける磁気フォノン共鳴のフーリェ解析 I

河西和美, 白川二, 浜口智尋

原稿種別: 本文
p. 41-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_41_2

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7a-B-11 n-InSbにおける磁気フォノン共鳴のフーリェ解析II

河西和美, 白川二, 浜口智尋

原稿種別: 本文
p. 42-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_42_1

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7a-B-12 Se-Ge非晶質半導体のOptically Changed Lattice-Vibration-Spectra

宇津木靖, 水島宣彦

原稿種別: 本文
p. 42-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_42_2

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7p-B-2 SiMOS反転層中の伝導電子の局在状態:閾値電圧附近の電気伝導度異常の一つの説明

小松原毅一

原稿種別: 本文
p. 43-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_43

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7p-B-3 Si-MOS反転層の局在状態II,強磁場伝導

若林淳一, 川路紳二

原稿種別: 本文
p. 44-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_44

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7p-B-4 MOS反転層内の局在状態-理論-

塚田捷

原稿種別: 本文
p. 45-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_45

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7p-B-6 コメント-アンダーソン局在の可能性

青木秀夫, 上村洸

原稿種別: 本文
p. 46-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_46

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7p-B-7 InAs表面の超伝導実験

川路紳治, 木下貴雄

原稿種別: 本文
p. 47-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_47

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7p-B-8 M.O.S.反転層における超伝導理論

高田康民

原稿種別: 本文
p. 48-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_48

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8a-B-1 Si:pの電子比熱

小林伸好, 小林俊一, 佐々木亘

原稿種別: 本文
p. 49-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_49_1

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8a-B-3 極低温に於る不純物伝導-II-

大塚洋一, 棚橋俊之, 小中信典, 佐々木亘

原稿種別: 本文
p. 49-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_49_2

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8a-B-4 n-Geのμ-波超音波吸収の一軸性圧力効果

宮里達郎, 赤尾文雄

原稿種別: 本文
p. 50-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_50_1

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8a-B-5 半導体中のD^--状態 I

名取晃子, 上村洸

原稿種別: 本文
p. 50-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_50_2

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8a-B-6 半導体中のD^--状態 II

名取晃子

原稿種別: 本文
p. 51-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_51_1

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8a-B-7 D^-,A^+状態 III

谷口雅樹, 成田信一郎

原稿種別: 本文
p. 51-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_51_2

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8a-B-8 金属型不純物伝導を示すp-Geの量子効果の異方性

木下攘止, 吉広和夫

原稿種別: 本文
p. 52-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_52_1

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8a-B-9 Ga-doped Geのサブミリ波光電効果

吉広和夫, 木下攘, 山内睦子

原稿種別: 本文
p. 52-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_52_2

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8a-B-11 n-InSbのmagnetic field-induced hopping

石田修一, 大塚エイミ

原稿種別: 本文
p. 53-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_53_1

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8a-B-12 強磁場中のn-InSbのvariable Range Hopping

杉原硬

原稿種別: 本文
p. 53-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_53_2

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8a-B-13 NiO単結晶の高温マイクロ波電導

望月章介, 桜井武麿

原稿種別: 本文
p. 54-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_54_1

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8a-B-14 CdIn_<2(1-x)>Cr_<2x>S_4中のCrイオンの磁気共鳴(II)

奥山次郎, 舟木義恵, 浅間博治, 木村豊

原稿種別: 本文
p. 54-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_54_2

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8a-B-15 GaP,GaAs,GaSbの電子分布

宇野良清, 石垣淳, 須藤正道

原稿種別: 本文
p. 55-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_55_1

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5a-H-1 ISSP ND-1スペクトロメーターの改造

平川 , 星埜 , 藤井 , 池田 , 佐藤 , 高橋 , 川村 , 佐久間 , 吉沢

原稿種別: 本文
p. 55-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_55_2

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5a-H-2 電子ライナックをパルス中性子源とする回転単結晶中性子分光器

甲斐鎌三, 神定良昌, 鈴木謙爾

原稿種別: 本文
p. 56-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_56_1

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5a-H-3 α-Ag_2(S_<1-x>Te_x)のパルス中性子回折

神定良昌, 甲斐鎌三, 三沢正勝, 鈴木謙爾

原稿種別: 本文
p. 56-
発行日: 1976/09/16
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1976.2.0_56_2

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