秋の分科会予稿集

巻号一覧

後続誌

1979.2

選択された号の論文の553件中251～300を表示しています

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4p-B-3 Si-MOS 反転層の強磁場電気伝導 : HaII 効果の温度依存

若葉淳一, 川路紳治

原稿種別: 本文
p. 138-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_138_1

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4p-B-4 Si(001) 近傍面 MOS 反転層のサブバンド間遷移

岡本弘, 室清文, 成田信一郎, 川路紳治

原稿種別: 本文
p. 138-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_138_2

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4p-B-5 Si(001) 近傍面 MOS 反転層のサイクロトロン共鳴吸収

岡本弘, 室清文, 成田信一郎, 川路紳治

原稿種別: 本文
p. 139-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_139_1

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4p-B-6 MOS 電荷層の電子状態に対する OS 界面の影響

中山正敏

原稿種別: 本文
p. 139-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_139_2

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4p-B-7 パルス強磁場における Si MOS : FET のシュブニコフ-ド-ハース効果

板倉徹, 木戸義勇, 三浦登

原稿種別: 本文
p. 140-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_140_1

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4p-B-8 アモルファス Ge の電子状態 : 転位模型

二宮敏行, 梅本康成

原稿種別: 本文
p. 140-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_140_2

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4p-B-9 GD a-Si の光誘起変化

岡安良宣, 岡本博明, 金粒三, 成田信一郎

原稿種別: 本文
p. 141-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_141_1

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4p-B-10 GD-aSi の発光 I : 時間分解ルミネッセンス

平林泉, 中山優, 森垣和夫, 仁田昌二, 嶋川晃一

原稿種別: 本文
p. 141-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_141_2

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4p-B-11 GD-aSi の発光 II : 定常状態スペクトルと光照射効果

中山優, 平林泉, 森垣和夫, 仁田昌二, 嶋川晃一

原稿種別: 本文
p. 142-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_142_1

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4p-B-12 SP-a-Si 膜の空気中からの酸素取り込みによる物性変化

牛田克己, 井村健, 平木昭夫

原稿種別: 本文
p. 142-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_142_2

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4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II

久保田和芳, 井村健, 岩見基弘, 平木昭夫, 佐藤守, 藤本文範, 浜川圭弘, 箕村茂, 田中一宣

原稿種別: 本文
p. 143-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_143_1

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4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理

平木昭夫, 井村健, 岩見基弘, 久保田和芳, 佐藤守, 藤本文範, 浜川圭弘, 箕村茂, 田中一宣

原稿種別: 本文
p. 143-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_143_2

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4p-B-15 a-Si_xC<1-x> : H の構造

嶋田寿一, 片山良史, 宇佐見勝久, 小松原毅一

原稿種別: 本文
p. 144-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_144_1

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4p-B-16 G.D. a-Si の Field Effect

尾崎肇, C.C. Tsai, H. Fritzsche

原稿種別: 本文
p. 144-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_144_2

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4p-B-17 半導体のレーザアニール時の光伝導とルミネッセンス

原修一, 青木一徳, 山田正良, 山本恵一, 阿部謙一

原稿種別: 本文
p. 145-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_145_1

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4p-B-18 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 光吸収

落合勇一, 植松賢司, 滝田宏樹, 升田公三

原稿種別: 本文
p. 145-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_145_2

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4p-B-19 アモルファスシリコンへのイオン注入 ; 電気伝導

植松賢司, 落合勇一, 滝田宏樹, 升田公三

原稿種別: 本文
p. 146-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_146_1

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4p-D-1 V 族の Jones Zone

岩松雅夫

原稿種別: 本文
p. 146-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_146_2

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4p-D-2 セルフコンシステント擬ポテンシャル法と Si のバンド構造

進藤浩一

原稿種別: 本文
p. 147-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_147_1

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4p-D-3 IV-VI 族化合物の"結合型軌道"

中西章, 松原武生

原稿種別: 本文
p. 147-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_147_2

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4p-D-4 熱処理 GaAs の表面組成変化の考察

工藤博, 滝田宏樹, 升田公三

原稿種別: 本文
p. 148-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_148_1

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4p-D-5 段階型シリコン p-n 接合の容量 : 温度特性の解析

勝畑信, 吉田重知

原稿種別: 本文
p. 148-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_148_2

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4p-D-6 Transition metal silicide/Si 接合の電子状態

奥野和彦, 亀井聡一郎, 岩見基弘, 平木昭夫, 朝山邦輔

原稿種別: 本文
p. 149-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_149_1

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4p-D-7 荷電不純物散乱による縦磁気抵抗率

柳田敬一

原稿種別: 本文
p. 149-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_149_2

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4p-D-8 AgBr 微細結晶内のパルス光伝導 II

平野昭裕, 眞隅泰三, 高田俊二

原稿種別: 本文
p. 150-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_150_1

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4p-D-9 TTF-TCNQ のパルス光伝導 (I)

久保田弘, 眞隅泰三, 安西弘行

原稿種別: 本文
p. 150-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_150_2

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4p-D-10 GaP の衝撃圧縮下における半導体-金属転移

後藤恒昭, 庄野安彦, 中川康昭

原稿種別: 本文
p. 151-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_151_1

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5a-B-1 非晶質セレンの構造と価電子状態

高橋隆, 大野公一, 原田義也

原稿種別: 本文
p. 151-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_151_2

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5a-B-2 非晶質 Fe-Ge 合金のメスバウアー効果

山田和芳, 小野寺秀也, 遠藤康夫

原稿種別: 本文
p. 152-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_152_1

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5a-B-3 Ge-Se 系ガラス半導体の光キャリアーの振舞い

金基一, 白藤純嗣, 犬石嘉雄

原稿種別: 本文
p. 152-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_152_2

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5a-B-4 非晶質カルコゲナイド半導体の NMR IV

上田庄一, 清水立生

原稿種別: 本文
p. 153-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_153_1

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5a-B-5 カルコゲナイド・ガラスの光伝導過渡特性

宇田毅, 山田栄三郎

原稿種別: 本文
p. 153-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_153_2

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5a-B-6 カルコゲナイドガラスにおける Photodarkening 初期過程の動的特性

青柳克信, 瀬川勇三郎, 馬場哲也, 難波進, 梅原敏明, 西原浩

原稿種別: 本文
p. 154-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_154_1

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5a-B-7 カルコゲナイドガラスの螢光の偏光特性

村山和郎, 二宮敏行

原稿種別: 本文
p. 154-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_154_2

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5a-B-8 結晶 As_2S_3 への光ドーピング,非晶質の場合との比較

井村健, 田尻励志, 久保田和芳, 平木昭夫, 田中一宣

原稿種別: 本文
p. 155-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_155_1

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5a-B-9 As-Se 系アモルファス半導体における Raman スペクトルの組成依存性

森龍男, 新井敏弘, 大成誠之助

原稿種別: 本文
p. 155-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_155_2

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5a-B-10 a-AsSe 系の価電子帯の構造

北原正, 新井敏弘

原稿種別: 本文
p. 156-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_156_1

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5a-B-11 a-(As_2S_3)<1-x>(Bi_2S_3)_x の光電気的性質(x=0,0.025,0.05)

北村通英, 新井敏弘

原稿種別: 本文
p. 156-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_156_2

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5a-B-12 a-AsSe 系の吸収端近傍の光スペクトル

新井敏弘, 北原正

原稿種別: 本文
p. 157-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_157_1

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2a-Z-1 CuCl の励起子分子巨大二光子吸収. 及び発光の温度変化 III

渡辺茂樹, 伊藤正, 野末泰夫, 上田正康

原稿種別: 本文
p. 157-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_157_2

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2a-Z-2 ピコ秒円偏光励起による CuCl の k=0 の励起子分子の発光とその時間分解測定

馬場哲也, 瀬川勇三郎, 青柳克信, 難波進

原稿種別: 本文
p. 158-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_158_1

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2a-Z-3 CuCl に於ける巨大二光子励起下の励起子分子の分布 (II)

三田常義, 五月女勲, 上田正康

原稿種別: 本文
p. 158-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_158_2

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2a-Z-4 CuCl 励起子分子の二光子共鳴励起による二次放出光の基因

櫛田孝司

原稿種別: 本文
p. 159-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_159_1

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2a-Z-5 CuCl 励起子分子二光子共鳴二次放出過程

舛本泰章, 塩谷繁雄

原稿種別: 本文
p. 159-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_159_2

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2a-Z-6 CuBr における励起子ポラリトンの分散

鵜沼豊, 舛本泰章, 塩谷繁雄

原稿種別: 本文
p. 160-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_160_1

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2a-Z-7 GaSe の発光のサブノナ領域における時間分解スペクトル

南不二雄, 江良皓, 櫛田孝司

原稿種別: 本文
p. 160-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_160_2

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2a-Z-8 バンド端付近の励起による CdSe の高密度電子正孔プラズマの発光

吉田秀実, 吉国裕三, 塩谷繁雄

原稿種別: 本文
p. 161-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_161_1

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2a-Z-9 GaAs における電子正孔プラズマの自然発光の解析

田中省作, 小林洋志, 斉藤博, 塩谷繁雄

原稿種別: 本文
p. 161-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_161_2

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2a-Z-10 GaSe の束縛励起子に共鳴したラマン散乱 II

佐々木芳朗, 仁科雄一郎

原稿種別: 本文
p. 162-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_162_1

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2a-Z-11 ピコ秒波長可変レーザーを用いたポラリトンの分散の測定 II : Cds について

瀬川勇三郎, 馬場哲也, 青柳克信, 難波進

原稿種別: 本文
p. 162-
発行日: 1979/09/15
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_162_2

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