秋の分科会予稿集

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後続誌

1981.2

選択された号の論文の681件中251～300を表示しています

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2p-NL-12 NbSe_3のフェルミ面

島信幸

原稿種別: 本文
p. 137-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_137_2

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2p-NL-13 TaS_3における非線型電気伝導

伊土政幸, 川端和重, 三本木孝

原稿種別: 本文
p. 138-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_138_1

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2p-NL-14 NbSe_3の非線型伝導領域におけるHall効果 II

川端和重, 伊土政幸, 三本木孝

原稿種別: 本文
p. 138-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_138_2

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2p-NL-15 Ag_2Fの電気伝導

井土幸夫, 谷俊朗, 北沢宏一, 田中昭二

原稿種別: 本文
p. 139-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_139_1

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2p-NL-16 Ag_xTaS_2中の^_<109>AgのNMR

西原弘訓, G.A.Scholz, R.F.Frindt

原稿種別: 本文
p. 139-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_139_2

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2p-NL-17 黒リン単結晶の合成と電気的性質

赤浜裕一, 築山康孝, 寺田慎一, 根本雅昭, 遠藤将一, 成田信一郎

原稿種別: 本文
p. 140-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_140_1

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2p-NL-18 単結晶黒リンの比熱

小林典男, 城谷一民, 森田章

原稿種別: 本文
p. 140-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_140_2

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2p-NL-19 黒リンの格子振動 II

金田千穂子, 吉田博, 森田章

原稿種別: 本文
p. 141-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_141_1

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3p-NGH-1 グラファイトの磁気プラズマ波透過

中村和夫, 三浦登, 田沼静一

原稿種別: 本文
p. 141-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_141_2

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3p-NGH-2 グラファイトの近赤外反射率の温度依存性

三須明

原稿種別: 本文
p. 142-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_142_1

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3p-NGH-3 C蒸着膜のグラファイト化に伴う電子構造の変化 II-ELS

斉藤伸二, 野島秀夫, 日下田恵一, 市の川竹男

原稿種別: 本文
p. 142-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_142_2

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3p-NGH-4 グラファイト層間化合物における、圧力によるステージング相転移の理論

三谷尚, 岡部豊, 森田章

原稿種別: 本文
p. 143-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_143_1

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3p-NGH-5 グラファイト層間化合物の構造相転移

宮嵜博司, 五十嵐修一, 畠山伸一, 堀江忠児

原稿種別: 本文
p. 143-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_143_2

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3p-NGH-6 高ステージグラファイト層間化合物C_<24>Rbの秩序構造

内貴唯八, 山田安定

原稿種別: 本文
p. 144-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_144_1

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3p-NGH-7 黒鉛層間化合物C_6Euの電気的性質

大松一也, 寿栄松宏仁, 升田公三

原稿種別: 本文
p. 144-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_144_2

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3p-NGH-8 C_<24>Rbのフォノン分散関係

船橋達, 近藤保, 飯泉仁, 水谷宇一郎

原稿種別: 本文
p. 145-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_145_1

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3p-NGH-9 高ステージ・グラファイト層間化合物のラマン・スペクトルの理論

宮嵜博司, 堀江忠児

原稿種別: 本文
p. 145-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_145_2

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3p-NGH-10 高配向黒鉛の結晶性と磁気抵抗 V

鏑木裕, 菱山幸宥

原稿種別: 本文
p. 146-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_146_1

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3p-NGH-11 Graphite acceptor compounds(GAC)の輸送現象

杉原硬

原稿種別: 本文
p. 146-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_146_2

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3p-NGH-12 Graphite acceptor compounds(GAC)のmagnetsthermal oscillation

杉原硬

原稿種別: 本文
p. 147-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_147_1

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3p-NGH-13 アルカリ・アマルガム・グラファイト層間化合物の超伝導

家泰弘, 田沼静一

原稿種別: 本文
p. 147-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_147_2

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3p-NGH-14 黒鉛層間化合物C_6Euの強磁場中硬化過程

寿栄松宏仁, 大松一也, 杉山清宏, 榊原俊郎, 本河光博, 伊達宗行

原稿種別: 本文
p. 148-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_148_1

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3a-NL-1 深い不純物準位における負の電子相関 I

大畠永生

原稿種別: 本文
p. 148-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_148_2

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3a-NL-2 深い不純物準位における負の電子相関 II

大畠永生

原稿種別: 本文
p. 149-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_149_1

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3a-NL-3 不純物における2電子束縛状態と電子相関

福地進, 萱沼洋輔

原稿種別: 本文
p. 149-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_149_2

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3a-NL-4 2電子・2不純物系における電荷移動不安定性

萱沼洋輔, 福地進

原稿種別: 本文
p. 150-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_150_1

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3a-NL-5 不純物帯の赤外分光(温度効果)III

澤田茂樹, 小林融弘, 成田信一郎

原稿種別: 本文
p. 150-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_150_2

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3a-NL-6 Romdomnissと強い電子相関がある系の金属-非金属転移と磁性

名取晃子

原稿種別: 本文
p. 151-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_151_1

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3a-NL-7 アンダーソン局在状態における電子間相互作用の効果

竹森直, 上村洸

原稿種別: 本文
p. 151-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_151_2

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3a-NL-9 スピン・軌道相互作用とInSbの低温領域における磁気抵抗

星野公三, 福山秀敏

原稿種別: 本文
p. 152-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_152_1

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3a-NL-10 微小バンドギャップ内に於ける不純物準位の磁場依存性

阪井和男, 石井力

原稿種別: 本文
p. 152-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_152_2

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3a-NL-11 GaP結晶のバンド端に及ぼす照射欠陥の効果

遠藤民生, 中西善重, 沢和弘, 和田隆夫

原稿種別: 本文
p. 153-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_153_1

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3a-NL-12 半導体化したPbOの電気抵抗

鵜木博海, 岡邦彦, 前川稠

原稿種別: 本文
p. 153-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_153_2

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3a-NL-13 Magneto-gradient効果

山田興治, J.Sinkkonen

原稿種別: 本文
p. 154-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_154_1

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3a-NL-14 高純度ゲルマニウム中の正孔の散乱機構と移動度

田口明仁, 武田京三郎, 太田英二, 坂田亮

原稿種別: 本文
p. 154-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_154_2

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3a-NL-15 P型シリコン中のイオン化不純物による正孔の散乱と移動度

武田京三郎, 作井康司, 太田英二, 坂田亮

原稿種別: 本文
p. 155-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_155_1

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3a-NL-16 Si中のA^○X中心(中性アクセプター+エクシトン)による電子散乱

大塚穎三

原稿種別: 本文
p. 155-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_155_2

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3a-NL-17 Ge中のEHDのライフタイムに対する磁場効果

中田博保, 大塚穎三

原稿種別: 本文
p. 156-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_156_1

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3a-NL-18 ゲルマニウム中の大液滴を囲む気相のサイクロトロン共鳴

大山忠司, 藤井研一, 大塚穎三

原稿種別: 本文
p. 156-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_156_2

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3p-NL-1 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造1.電荷移動とバンド構造

嶋村修二, 森田章

原稿種別: 本文
p. 157-158
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_157

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3p-NL-2 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造2.σバンドを含めた理論

大野隆央

原稿種別: 本文
p. 159-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_159

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4a-NL-1 a-Geへの窒素の影響

高野良紀, 佐藤哲生, 北岡信恭, 西郡忠, 尾崎肇

原稿種別: 本文
p. 160-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_160_1

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4a-NL-2 反応性レーザー蒸着法の応用 : a-Si:Hおよびa-Si:F

英貢, 鈴木雅夫

原稿種別: 本文
p. 160-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_160_2

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4a-NL-3 アモルファスSi_<1-x>Ge_x:HのEXAFS

若木政利, 坂牧俊夫, 辻和彦, 箕村茂, 細谷資明

原稿種別: 本文
p. 161-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_161_1

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4a-NL-4 高圧下におけるa-Si:Hの物性

辻和彦, 酒井ノブ子, 箕村茂

原稿種別: 本文
p. 161-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_161_2

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4a-NL-5 高圧下におけるa-Si:Hのラマン散乱

石館健男, 片桐新悟, 井上久遠, 辻和彦, 箕村茂

原稿種別: 本文
p. 162-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_162_1

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4a-NL-6 アモルファスSi:Fのボンド構造II

山本恵一, 辻幹生, 笠原肇, 阿部謙治

原稿種別: 本文
p. 162-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_162_2

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4a-NL-7 XPSおよび赤外吸収によるa-Si:F中のSi-Fボンドの検討(II)

片山良史, 嶋田寿一, 宇佐美勝久

原稿種別: 本文
p. 163-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_163_1

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4a-NL-8 a-Si:Hにおける光検波ESR I 再結合過程

森垣和夫, 佐野興志雄, 平林泉

原稿種別: 本文
p. 163-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_163_2

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4a-NL-9 a-Si:Hにおける光検波ESR II 光照射による欠陥生成

佐野興志雄, 森垣和夫, 平林泉

原稿種別: 本文
p. 164-
発行日: 1981/09/14
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1981.2.0_164_1

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