秋の分科会予稿集

巻号一覧

後続誌

1990.2

選択された号の論文の936件中201～250を表示しています

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2a-D-18 半導体量子細線系の遠赤外線応答

片山信一

原稿種別: 本文
p. 123-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_123_2

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2a-D-19 二重量子井戸細線の電気伝導

奥野英一, 石田明, 沢木宣彦, 赤崎勇

原稿種別: 本文
p. 124-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_124_1

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2p-D-1 超格子型ポテンシャルにおける有効質量近似の適用条件 II

庄司正成, 堀口誠二

原稿種別: 本文
p. 124-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_124_2

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2p-D-2 2次元構造を持つ半導体超格子中の電子状態

東辻浩夫, 畑谷光輝, 川辺昌吾, 松原徹

原稿種別: 本文
p. 125-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_125_1

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2p-D-3 インフレーション超格子の光学的性質

宮嵜博司, 井上雅博

原稿種別: 本文
p. 125-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_125_2

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2p-D-4 フォボナッチ超格子における励起状態の伝播

山口敦史, 多田哲也, 二宮敏行

原稿種別: 本文
p. 126-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_126_1

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2p-D-5 ランダムに分布した不純物の共鳴トンネルへの影響

造田安民, 中村孔一, 江沢洋

原稿種別: 本文
p. 126-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_126_2

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2p-D-6 半導体積層欠陥系の電子状態

大淵泰司, 岸田貴司, 張紀久夫

原稿種別: 本文
p. 127-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_127_1

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2p-D-7 ZnSe-Zn歪超格子のラマン散乱

山本愛士, 山田陽一, 舛本泰章

原稿種別: 本文
p. 127-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_127_2

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2p-D-8 ZnSe-ZnS歪超格子のバンド構造の解析

山田陽一, 舛本泰章, 田口常正

原稿種別: 本文
p. 128-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_128_1

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2p-D-9 ZnSxSe_<1-x> MBE薄膜のラマン散乱

岡田洋, 井上恒一, 邑瀬和生, 松村信男, 更家淳司

原稿種別: 本文
p. 128-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_128_2

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2p-D-10 Si-Ge超格子の光学遷移強度

池田稔, 寺倉清之, 小口多美夫

原稿種別: 本文
p. 129-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_129_1

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2p-D-12 シリサイド界面のショットキー障壁 III

藤谷秀章, 浅野摂郎

原稿種別: 本文
p. 129-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_129_2

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2p-D-13 金属上GaSe_<1-x>S_x混晶薄膜の構造・界面特性

佐野恵利子

原稿種別: 本文
p. 130-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_130_1

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2p-D-14 シリコンカーバイドの折り返しモードのラマン強度分布

中島信一, 萩行正憲

原稿種別: 本文
p. 130-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_130_2

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2p-D-15 黒リン単結晶のホール効果とその異常

馬場守, 中村嘉孝, 柴田清孝, 森田章, 小池洋二, 深瀬哲郎

原稿種別: 本文
p. 131-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_131_1

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2p-D-16 擬二次元伝導体η-Mo_4O_<11>の交流電気伝導 II

小矢野幹夫, 大原繁男, 根岸寛, 佐々木実, 井上正

原稿種別: 本文
p. 131-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_131_2

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2p-D-17 η-Mo_4O_<11>のキャリアダイナミックス : 超渡熱起電力効果 II

太光勗 , 大原繁男, 小矢野幹夫, 根岸寛, 佐々木実, 井上正

原稿種別: 本文
p. 132-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_132_1

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2p-D-18 Mo_4O_<11>のCDW転移へのタングステン置換効果

大原繁男, 高瀬浩一, 小矢野幹夫, 根岸寛, 佐々木実, 井上正

原稿種別: 本文
p. 132-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_132_2

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2p-D-19 TaSe_3の超伝導

永田正一, 青地強志, 木下泰宏, 近澤進

原稿種別: 本文
p. 133-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_133_1

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3a-F-1 Si-MOSFETとGaAsヘテロ構造の量子ホール効果

吉広和夫, C.T Van Degrift, M.E Gage, D Yu

原稿種別: 本文
p. 133-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_133_2

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3a-F-2 量子化ホール抵抗の高精度測定 V

川路紳治, 長島直樹, 若林淳一, 吉広和夫, 木下壌止, 稲垣勝哉, 山内睦子

原稿種別: 本文
p. 134-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_134_1

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3a-F-3 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・III

若林淳一, 川路紳治, 小池洋二, 後藤貴行, 深瀬哲郎

原稿種別: 本文
p. 134-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_134_2

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3a-F-4 パルス強磁場による量子ホール効果状態下の非線形電気伝導度測定

高増正, 三浦登

原稿種別: 本文
p. 135-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_135_1

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3a-F-5 ランダム行列による2次元系の強磁場下電子状態の解析 II : エネルギー準位間隔の分布

小野嘉之, 大槻東巳, B KRAMER

原稿種別: 本文
p. 135-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_135_2

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3a-F-6 強磁場下2次元電子系の電流分布

福田聖一, 小野嘉之

原稿種別: 本文
p. 136-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_136_1

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3a-F-7 層状電子系における強磁場下金属非金属転移

小野嘉之, 大槻東巳, B Kramer

原稿種別: 本文
p. 136-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_136_2

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3a-F-8 半導体メモリー素子の断面構造観察

石井浩, 遠藤久満, 熊尾章宏, 味香夏夫, 有馬秀明, 松川隆行

原稿種別: 本文
p. 137-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_137_1

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3a-F-9 半導体化合物のバルク物性への熱振動の影響

相馬俊信, 加賀屋弘子, 小徳弘明

原稿種別: 本文
p. 137-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_137_2

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3a-F-10 ゲルマニウムをドープした黒リンの電気的物性

丸山有成, 稲辺保, 何林, 大嶋孝吉

原稿種別: 本文
p. 138-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_138_1

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3a-F-11 Excion Unbinding in a Confined Ferimi Sea

G.E.W Baver

原稿種別: Article
p. 138-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_138_2

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3a-F-12 PbSeの超強磁場下サイクロトロン共鳴と有効質量の温度依存性

横井浩之, 嶽山正二郎, 三浦登, G Bauer

原稿種別: 本文
p. 139-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_139_1

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3a-F-13 LPE成長によるHg_<1-x-y>Cd_xMn_yTeの強磁場輸送現象

岡本徹, 權赫振, 黒田眞司, 滝田宏樹

原稿種別: 本文
p. 139-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_139_2

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3a-F-14 強磁場におけるナローギャップ希薄磁性半導体HgMnTeおよびHgMnSeの磁化と交換相互作用

三浦登, 嶽山正二郎, 榊原俊郎, E.J McNiff, G Karczewski

原稿種別: 本文
p. 140-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_140_1

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3a-F-15 希薄磁性半導体Pb_<1-x>Eu_xTeの中濃度域における電気的・光学的特性

清水隆徳, 椎熊一実, 榎本博行, 申宰秀, 尾崎肇

原稿種別: 本文
p. 140-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_140_2

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3a-F-16 MBE法によって作製したCd_<1-x>Mn_xTeの強磁場中での励起子磁気ポーラロン

秋永広幸, 白井豊, 黒田眞司, 嶽山正二郎, 三浦登, 滝田宏樹

原稿種別: 本文
p. 141-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_141_1

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3a-F-17 MBE法によって作製したCd_<1-x>Mn_xTeにおける励起子磁気ポーラロンのダイナミクス

秋永広幸, 滝田宏樹, 中山毅, 南不二雄, 井上久遠

原稿種別: 本文
p. 141-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_141_2

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3p-C-1 エナージェティクス : 歪超格子,不純物

大野隆央

原稿種別: 本文
p. 142-143
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_142

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3p-C-2 エナージェティクス : 半導体酸化の機構

宮本良之

原稿種別: 本文
p. 144-145
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_144

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3p-C-3 半経験的分子動力学法 : SiO_2の構造

常行真司

原稿種別: 本文
p. 146-147
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_146

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3p-C-5 Car-Parrinello法 : バルク中の欠陥

小口多美夫

原稿種別: 本文
p. 148-149
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_148

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3p-C-6 第一原理分子動力学 : Si表面

宇田毅, 井原茂男

原稿種別: 本文
p. 150-151
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_150

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4a-D-1 a-Si_<1-x>Au_x2:H薄膜の光学的性質

藤田安彦, 嘉代雄, 山口政晃

原稿種別: 本文
p. 152-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_152_1

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4a-D-2 アモルファスSi:Nb薄膜の金属非金属転移

北谷健, 宮沢繁美, 落合勇一

原稿種別: 本文
p. 152-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_152_2

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4a-D-3 PLAS法とEA法によるa-Si:H/a-Si_3N_4:H界面評価

宮島博文, 向井雅通, 野々村修一, 仁田昌二

原稿種別: 本文
p. 153-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_153_1

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4a-D-4 不規則a-Si:H/a-Si_3N_4:H多層膜の電気伝導特性の評価

高橋康夫, 内田貴之, 野々村修一, 仁田昌二

原稿種別: 本文
p. 153-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_153_2

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4a-D-5 液体窒素温度における光熱偏向分光法によるa-Si:Hの評価

佐野浩, 南出隆広, 野々村修一, 仁田昌二

原稿種別: 本文
p. 154-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_154_1

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4a-D-6 a-Si:Hにおける水素量とUrbachエネルギーの関係

山口政晃, 森垣和夫

原稿種別: 本文
p. 154-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_154_2

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4a-D-7 Pドープa-Si:Hにおける凍結欠陥のESRと熱平衡過程

横道治男, クグラー , 森垣和夫

原稿種別: 本文
p. 155-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_155_1

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4a-D-8 アモルファス半導体の電子状態と格子緩和

篠塚雄三, 石原靖久

原稿種別: 本文
p. 155-
発行日: 1990/09/12
公開日: 2018/03/22

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_155_2

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