応用物理学会学術講演会講演予稿集

第61回応用物理学会春季学術講演会

選択された号の論文の3867件中3801～3850を表示しています

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分子プリカーサー法で製作したGa-In-O多結晶薄膜の発光特性

尾沼猛儀, 安野泰平, 高野宗一郎, 後藤良介, 藤岡秀平, 畠山匠, 原広樹, 望月千尋, 永井裕己, 山口智広, 佐 ...

セッションID: 17p-PG3-9
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3801

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電子レンジを用いたZnOナノファイバーの高速合成

谷川巽康, 須崎昌己, 内富直隆

セッションID: 17p-PG3-10
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3802

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IGZO/n+Siヘテロジャンクション構造を用いたDLTS法によるIGZO薄膜のトラップ準位の評価

小坂修司, 安野聡, 林和志, 岡田廣

セッションID: 17p-PG3-11
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3803

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不純物添加ＺｎＯ薄膜の極性

安達裕, 大橋直樹, 坂口勲, 羽田肇

セッションID: 17p-PG3-12
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3804

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パルスレーザー蒸着法を用いたSnO_xN_y薄膜の合成と物性評価

山崎崇範, 廣瀬靖, 中尾祥一郎, 原山勲, 関場大一郎, 長谷川哲也

セッションID: 17p-PG3-13
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3805

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分子プレカーサー法を用いたIn添加ZnO薄膜製作検討

後藤良介, 安野泰平, 永井裕己, 原広樹, 佐藤光史, 本田徹

セッションID: 17p-PG3-14
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3806

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静電噴霧法を用いたCu₂O透明薄膜の作製

下村宏貴, 山本伸一

セッションID: 17p-PG3-15
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3807

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静電噴霧法を用いたITO/Ag/ITO積層構造薄膜の評価

今井敬太, 下村宏貴, 山本伸一, 吉岡秀樹

セッションID: 17p-PG3-16
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3808

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水溶液法を用いた酸化亜鉛薄膜作製における塩素の影響

安部功二, 松本拓也

セッションID: 17p-PG3-17
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3809

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非晶質SnO₂薄膜の電気伝導：Ta置換量依存性

中尾祥一郎, 廣瀬靖, 福村知昭, 長谷川哲也

セッションID: 17p-PG3-18
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3810

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ZnO系透明導電膜における抵抗率とc-軸長の基板位置依存性

菊池大樹, 井上創太, 舩木修平, 山田容士

セッションID: 17p-PG3-19
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3811

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MOD法を用いてガラス基板上に成膜したZnO系薄膜の特性評価

平野貴大, 山本伸一, 吉岡秀樹

セッションID: 17p-PG3-20
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3812

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MOD法を用いて不純物を添加したZnO薄膜の発光特性

荒井貴博, 金森翼, 吉岡秀樹, 山本伸一

セッションID: 17p-PG3-21
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3813

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滴下法により形成した酸化亜鉛ナノ粒子層の電気的特性評価

篠原風人, 糸原大貴, 吉田俊幸, 藤田恭久

セッションID: 17p-PG3-22
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3814

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Si基板上に成膜したZnO系薄膜の発光特性

鈴木大介, 平野貴大, 吉岡秀樹, 山本伸一

セッションID: 17p-PG3-23
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3815

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対向ターゲットスパッタ法を用いたアモルファスIn-Ga-Zn-O TFT の低温形成

瀬尾北斗, 堺俊克, 相原聡, 大竹浩, 久保田節, 古田守

セッションID: 17p-PG3-24
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3816

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ウェットプロセスを用いた酸化物半導体薄膜のガスセンサ応用

景山豪, 吉岡秀樹, 山本伸一

セッションID: 17p-PG3-25
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3817

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反応性イオンエッチングによるa-IGZOサブミクロンデバイス構造の試作

清水貴思, 桑原正史

セッションID: 17p-PG3-26
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3818

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ZnO-SnO₂薄膜を用いたTFTの低温形成（Ⅱ）

佐藤和郎, 山田義春, 村上修一, 筧芳治, 櫻井芳昭

セッションID: 17p-PG3-27
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3819

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ZnO TFTのドレイン電流DLTS測定 (3)

久保田優人, 若林岳, 小柳津祥典, 森雄大, 村中司, 鍋谷暢一, 松本俊

セッションID: 17p-PG3-28
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3820

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溶液成長法によるp-CuO/n-ZnOヘテロ接合の作製

寺迫智昭, 村上聡宏, 兵頭篤, 北峯誠之, 宮田晃, 白方祥

セッションID: 17p-PG3-29
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3821

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MOCVD法により作製したZnMgO:N/ZnOシングルヘテロ接合からのEL発光

古林寛, 森山恭多, 柳瀬将吾, 藤田恭久

セッションID: 17p-PG3-30
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3822

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スプレー法による酸化亜鉛薄膜の大面積化

明永裕樹, 小林義典, 宮地計二, 井手亜貴子, 吉野賢二

セッションID: 18a-E10-1
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3823

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SiO₂/GZO積層膜の電気特性のアニール温度依存性

井上創太, 菊池大樹, 一柳成治, 舩木修平, 山田容士

セッションID: 18a-E10-2
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3824

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静電噴霧法を用いた多層膜構造を有する透明導電膜の作製

下村宏貴, 山本伸一

セッションID: 18a-E10-3
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3825

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ZnOホモバッファ層を導入したVドープ透明導電薄膜と圧電膜の特性

森達哉, 安倍大, 千葉博, 奥田修平, 川島知之, 鷲尾勝由

セッションID: 18a-E10-4
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3826

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Ｘ線光電子分光法によるＺｎＯ透明導電膜の極性評価

牧野久雄, 宋華平, 野本淳一, 山本哲也

セッションID: 18a-E10-5
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3827

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高周波重畳直流スパッタAl添加ZnO透明電導電膜の電気特性に対する成膜電力の最適化

野本淳一, 宋華平, 牧野久雄, 岸本誠一, 山本哲也

セッションID: 18a-E10-6
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3828

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不純物添加ZnO系透明導電膜のキャリア散乱機構の検討

宮田俊弘, 山中俊憲, 南内嗣

セッションID: 18a-E10-7
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3829

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InGaZnOを用いた透明導体の光学・電気特性

廣橋拓也, 太田将志, 石原典隆, 野中裕介, 山﨑舜平, 片山正博, 三澤千恵子, 中鉢由佳, 羽持貴士, 岡崎健一, ...

セッションID: 18a-E10-8
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3830

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透明導電膜として機能するInGaZnOの物性評価

太田将志, 石原典隆, 黒澤陽一, 野中裕介, 廣橋拓也, 高橋正弘, 山﨑舜平, 生内俊光, 保坂泰靖, 肥塚純一

セッションID: 18a-E10-9
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3831

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InGaZnOのN型化メカニズムに関する計算

中島基, 広橋拓也, 高橋正弘, 山﨑舜平

セッションID: 18a-E10-10
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3832

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「講演奨励賞受賞記念講演」a-InGaZnOの電子物性における水素の影響

上岡義弘, 石河泰明, Bermundo Juan Paolo, 山﨑はるか, 浦川哲, 堀田昌宏, 浦岡行治

セッションID: 18p-E10-1
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3833

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PLD法で真空製膜したアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜における電荷補償と水素によるパッシベーション効果

神谷利夫, Herms Johannes, 大類貴俊, 羽生雄一郎, 平松秀典, 雲見日出也, 細野秀雄, 上田茂典, 大橋 ...

セッションID: 18p-E10-2
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3834

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アモルファスIn-Ga-Zn-Oの不純物水素によるバンドギャップワイドニングと構造緩和挙動

石川恭兵, 羽生有一郎, 平松秀典, 雲見日出也, 細野秀雄, 神谷利夫

セッションID: 18p-E10-3
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3835

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スパッタ環境の違いによる酸化物半導体の膜質評価

高梨泰幸, 田尾博昭, 越智元隆, 後藤裕史, 釘宮敏洋

セッションID: 18p-E10-4
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3836

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InGaZnOの構造評価Ⅰ：TEM試料加工・観察時の影響

山崎亨, 舩木雅之, 阿久津恵子

セッションID: 18p-E10-5
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3837

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InGaZnOの構造評価Ⅱ：ナノ領域における結晶構造解析

舩木雅之, 山崎亨, 阿久津恵子

セッションID: 18p-E10-6
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3838

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InGaZnOの構造評価Ⅲ：CAAC-InGaZnO薄膜の結晶構造解析

舩木雅之, 山崎亨, 阿久津恵子

セッションID: 18p-E10-7
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3839

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InGaZnOの構造評価Ⅳ：デジタル画像解析を用いたナノ結晶構造評価

阿久津恵子, 舩木雅之, 山崎亨

セッションID: 18p-E10-8
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3840

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スパッタ法で成膜したナノ結晶酸化物半導体への電子線照射効果の調査(1)

矢野路子, 髙橋絵里香, 大力浩二, 高橋正弘, 廣橋拓也, 山﨑舜平

セッションID: 18p-E10-9
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3841

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スパッタ法で成膜したナノ結晶酸化物半導体への電子線照射効果の調査(2)

大力浩二, 太田将志, 高橋正弘, 廣橋拓也, 山﨑舜平

セッションID: 18p-E10-10
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3842

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電子線ホログラフィーによるInGaZnO₄ /SiO₂界面の電荷分布の直接観察

五十嵐信行, 西藤哲史, 竹田裕, 井上尚也, 砂村潤, 竹内潔, 羽根正巳

セッションID: 18p-E10-11
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3843

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酸化物半導体前駆体のインク化とマイクロ波焼成プロセスの開発

鄭恵貞, 小倉晋太郎, 酒井平祐, 竹内和彦, 長畑律子, 植村聖, 福田伸子

セッションID: 18p-E10-12
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3844

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Photoinduced Transient Spectroscopy 法を用いたIGZO薄膜トランジスタの電子状態評価

田尾博昭, 高梨泰幸, 森田晋也, 日野綾, 後藤裕史, 林和志, 釘宮敏洋

セッションID: 18p-E10-13
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3845

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A-IGZO TFTにおけるチャネル保護層成膜に伴う水素の拡散と欠陥パッシベーション効果

戸田達也, Dapeng Wang, Jingxin Jiang, Phi Hung Mai

セッションID: 18p-E10-14
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3846

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IGZO TFTのオフリーク特性の評価と解析

脇村豪, 山内祥光, 松岡俊匡, 鎌倉良成

セッションID: 18p-E10-15
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3847

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大型スパッタカソードを用いたIGZO膜質均一性とTFT信頼性

小林大士, 水野太平, 大谷佑介, 武井応樹, 水野雄介, 大久保裕夫, 石橋哲, 磯部辰徳, 新井真, 清田淳也, 斎 ...

セッションID: 18p-E10-16
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3848

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パルス電圧ストレス下における自己発熱による酸化物TFTの劣化解析

木瀬香保利, 笘井重和, 上岡義弘, 山﨑はるか, 浦川哲, 矢野公規, Dapeng Wang, 古田守, 堀田昌宏, 石 ...

セッションID: 18p-E10-17
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3849

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スパッタ成膜単結晶InGaZnO薄膜のトランジスタ特性

山田良則, 松林大介, 松田慎平, 佐藤裕平, 太田将志, 伊藤大吾, 津吹将志, 高橋正弘, 廣橋拓也, 坂倉真之, ...

セッションID: 18p-E10-18
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3850

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