応用物理学会学術講演会講演予稿集

第62回応用物理学会春季学術講演会

選択された号の論文の3876件中1201～1250を表示しています

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SrTiO₃基板上に成長した単一ドメインBiFeO₃薄膜の異常光起電力効果

高山幸太

セッションID: 14a-A21-7
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1201

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(Bi,Pr)(Fe,Mn)O₃強誘電体薄膜の分極誘起光起電力効果

川畑創, 川江健, 森本章治

セッションID: 14a-A21-8
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1202

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強相関系強誘電体YMnO₃薄膜の光吸収および発光特性とそれらの光誘起電流との相関

宇賀洋志, 芦田淳, 吉村武, 古川喜彬, 中山正昭, 藤村紀文

セッションID: 14a-A21-9
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1203

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UV-LED光駆動の圧電薄膜アクチュエータの作製

黒川文弥, 大地優平, 佐段田温朗, 辻浦裕一, 肥田博隆, 神野伊策

セッションID: 14a-A21-10
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1204

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強誘電体薄膜における電気熱量効果の直接測定の検討

松下裕司, 吉村武, 藤村紀文

セッションID: 14a-A21-11
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1205

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高品質ダイヤモンド膜合成用廉価マイクロ波プラズマCVD装置の開発

宮田昌和, 毎田修, 南光正平, 伊藤利道

セッションID: 11a-P4-1
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1206

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{111}リンドープダイヤモンド薄膜成長のオフ角依存性

山本卓, 小泉聡

セッションID: 11a-P4-2
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1207

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高濃度ホウ素ドープ縮退ダイヤモンド薄膜における縮退領域の局在クラスター化とその積層

田渕智大, 毎田修, 伊藤利道

セッションID: 11a-P4-3
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1208

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簡易リソプロセスを用いた≈１μｍ径の高品質柱状ダイヤモンド周期構造の作製とその粒子検出器への応用

清水彰人, 毎田修, 伊藤利道

セッションID: 11a-P4-4
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1209

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Si基板上への高配向ボロンドープ・ダイヤモンドの選択成長

小宮一輝, 市川直斗, 小島隆平, 相馬勇治, 一色秀夫

セッションID: 11a-P4-5
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1210

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ホウ素ドープCVDダイヤモンド薄膜における過渡光容量法による結晶欠陥評価

堀敬憲, 毎田修, 伊藤利道

セッションID: 11a-P4-6
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1211

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電子線誘起電流(EBIC)法によるダイヤモンドの欠陥位置の視覚化

河野省三, 寺地徳之, 児玉英之, 澤邊厚仁

セッションID: 11a-P4-7
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1212

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Role of the oxygen interlayer on electrical properties of WC/p-diamond Schottky diodes

Alexandre FIORI, Tokuyuki TERAJI, Jose PINERO, Daniel ARAUJO, Yasuo KO ...

セッションID: 11a-P4-8
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1213

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原子状Si誘起核発生により形成したナノ・ダイヤモンドからのSi-V中心発光

小島隆平, 市川直斗, 小宮一輝, 相馬勇治, 一色秀夫

セッションID: 11a-P4-9
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1214

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ダイヤモンドへの銀コーティング(2)

井山年明, 大島龍司, 飯塚完司

セッションID: 11a-P4-10
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1215

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種々の炭化水素を原料として極低温合成したa-C:Hの物性評価

齋藤登之, 内藤瑛慈, 小林直樹, 佐藤哲也

セッションID: 11a-P4-11
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1216

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X線反射率法を用いたRFプラズマCVD成膜におけるDLC膜界面の分析

針谷達, 安岡佑起, 古田寛, 八田章光

セッションID: 11a-P4-12
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1217

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アモルファス炭素膜の電気的特性に及ぼす安定同位体の影響

鈴木裕太郎, 鈴木常生, 神田一浩, 大竹尚登, 赤坂大樹

セッションID: 11a-P4-13
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1218

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Excel上で動作するsp²/(sp²+sp³)比算出のためのDLC薄膜のC-K端NEXAFSスペクトル用シミュレーションプログラムの開発

高松大樹

セッションID: 11a-P4-14
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1219

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極低温合成a-C:F膜のマイクロスクラッチ試験による密着性評価

曽我遥華, 山井孝太, 森川恭兵, 佐藤哲也, 中川清和

セッションID: 11a-P4-15
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1220

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PBII法により作製したヨウ素添加アモルファスカーボン薄膜への熱処理効果

溝上知広, 中尾節男, 岸直希, 曽我哲夫

セッションID: 11a-P4-16
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1221

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Arのマイクロ波放電フローにおける有機ケイ素化合物の解離励起反応解析

佐伯駿介, 熊倉基起, 伊藤治彦

セッションID: 11a-P4-17
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1222

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アモルファス窒化炭素薄膜の光誘起体積変化における長時間光照射の影響

原田人萌, 青野祐美, 北沢信章, 渡邉芳久

セッションID: 11a-P4-18
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1223

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プラズマCVDを用いたダイヤモンド単結晶成長における基板温度変化と窒素添加効果

山田英明, 茶谷原昭義, 杢野由明

セッションID: 11p-C1-1
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1224

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(001)面高濃度ボロンドープダイヤモンド成長のオフ角依存性

川島宏幸, 加藤宙光, 小倉政彦, 牧野俊晴, 竹内大輔, 山崎聡

セッションID: 11p-C1-2
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1225

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X線回折法を用いたボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜の臨界膜厚評価

柴田将暢, 蔭浦泰資, 山口尚秀, 高野義彦, 川原田洋

セッションID: 11p-C1-3
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1226

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高濃度リンドープn型ダイヤモンド薄膜の評価

大谷亮太, 山本卓, 小泉聡

セッションID: 11p-C1-4
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1227

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シンクロトロンX線トポグラフィーによる(110)高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察

嘉数誠, 村上竜一, 桝谷聡士, 植松卓也, 角谷均

セッションID: 11p-C1-5
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1228

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Direct observation and mechanism for enhanced electron emission sites in Pt ion implanted/post-annealed ultra nanocrystalline diamond films

Kalpataru Panda, Eiichi Inami, K. J Sankaran, Yoshiaki Sugimoto, N-H T ...

セッションID: 11p-C1-6
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1229

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格子状核発生領域を用いたダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長

市川公善, 児玉英之, 鈴木一博, 澤邊厚仁

セッションID: 11p-C1-7
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1230

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ダイヤモンド/立方晶窒化ホウ素(c-BN)薄膜ヘテロ構造成長

平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹

セッションID: 11p-C1-8
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1231

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CVDダイヤモンド表面伝導層のバンドダイヤグラム：表面直下の下向きバンド曲がりの再確認

河野省三, 竹内大輔, 児玉英之, 澤邊厚仁

セッションID: 11p-C1-9
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1232

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ダイヤモンド基板の表面制御によるアプタマーを用いたATP検出

楢村卓朗, スアエバエヴィ, 明道三穂, 小林幹典, 稲葉優文, 平岩篤, 川原田洋

セッションID: 11p-C1-10
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1233

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(111)基板上へのアンサンブルNVセンターを含むダイヤモンド薄膜合成

小澤勇斗, 岩崎孝之, 田原康佐, 古山聡子, 清水麻希, 波多野睦子

セッションID: 11p-C1-11
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1234

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ホモエピタキシャルダイヤモンド(111)薄膜中に形成されたNVセンターの配向度と極性

寺地徳之, Michl Julia, Zaiser Sebastian, Yakobi Ingmar, Waldherr Gerald, ...

セッションID: 11p-C1-12
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1235

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ダイヤモンド(111)基板における窒素-空孔複合欠陥の配向整列機構

宮崎剛英, 宮本良之, 牧野俊晴, 加藤宙光, 山崎聡, 福井貴大, 土井悠生, 徳田規夫, 波多野睦子, 水落憲和

セッションID: 11p-C1-13
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1236

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リンドナーによるダイヤモンド NV 中心の電荷状態制御

土井悠生, 福井貴大, 加藤宙光, 牧野俊晴, 山崎聡, 田嶌俊之, 森下弘樹, 三輪真嗣, Jelezko Fedor, ...

セッションID: 11p-C1-14
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1237

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ダイヤモンドJFETの内部電界測定に向けたNVセンターの形成

成木航, 田原康佐, 岩崎孝之, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 山崎聡, 波多野睦子

セッションID: 11p-C1-15
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1238

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ダイヤモンド選択成長によるNVセンターの集光率向上

古山聡子, 岩崎孝之, 清水麻希, 矢板潤也, 小寺哲夫, 波多野睦子

セッションID: 11p-C1-16
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1239

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イオン注入によるCVDダイアモンド膜へのSiVセンターの導入

小副川裕太, 中尾基, 坪田敏樹, 長町信治

セッションID: 11p-C1-17
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1240

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ダイヤモンド上SiO₂ゲート絶縁膜の形成と評価

原壮志, 袴田知宏, 小野和子, 瀬下裕志, 林佑哉, 平岩篤, 川原田洋

セッションID: 12a-C1-1
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1241

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耐圧1600Vを超える高温ALD-Al₂O₃絶縁膜を用いた水素終端ダイヤモンドMOSFET

北林祐哉, 山田哲也, 許德琛, 坪井秀俊, 斎藤俊輝, 齊藤達也, 松村大輔, 平岩篤, 川原田洋

セッションID: 12a-C1-2
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1242

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原子層堆積Al₂O₃-MOSキャパシタの高温電気的絶縁性に対するゲート電極材質の影響

松村大輔, 齊藤達也, 平岩篤, 川原田洋

セッションID: 12a-C1-3
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1243

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トレンチチャネルを有する C-H ダイヤモンド MOSFET

斎藤俊輝, 小林幹典, 山田哲也, 許德琛, 北林祐哉, 松村大輔, 坪井秀俊, 稲葉優文, 平岩篤, 川原田洋

セッションID: 12a-C1-4
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1244

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(001)ダイヤモンド上MBE薄膜AlNのIn-Plane X線回折法による評価

林佑哉, 小野和子, 袴田知宏, 平岩篤, 川原田洋

セッションID: 12a-C1-5
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1245

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(111)基板上の{1-10}面を接合面としたダイヤモンド横型p-n接合の作製

佐藤一樹, 岩崎孝之, 清水麻希, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 山崎聡, 波多野睦子

セッションID: 12a-C1-6
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1246

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ダイヤモンド横型p-n接合についてケルビンプローブフォース顕微鏡による表面電位評価と内部構造との相関

白田和也, 竹内大輔, 牧野俊晴, 加藤宙光, 小倉政彦, 山崎聡

セッションID: 12a-C1-7
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1247

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ダイヤモンドJFETのノーマリーオフ動作

諏訪泰介, 岩崎孝之, 佐藤一樹, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 山崎聡, 波多野睦子

セッションID: 12a-C1-8
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1248

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ホッピング伝導層を用いたダイヤモンドp⁺-i-n⁺接合の電気特性

牧野俊晴, 桑原大輔, 加藤宙光, 竹内大輔, 小倉政彦, 大串秀世, 山崎聡

セッションID: 12a-C1-9
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1249

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ダイヤモンドLEDにおける励起子発光の温度依存性

桑原大輔, 牧野俊晴, 加藤宙光, 竹内大輔, 小倉政彦, 大串秀世, 山崎聡

セッションID: 12a-C1-10
発行日: 2015/02/26
公開日: 2023/05/12

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1250

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