電気化学および工業物理化学

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56 巻, 7 号

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展望

電子材料・デバイス論文特集号発刊の意義

東迎良育

1988 年 56 巻 7 号 p. 461
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.461

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挨拶

論文特集号の発刊に当って

髙村勉

1988 年 56 巻 7 号 p. 462
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.462

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協会賞

昭和63年度各賞表彰

1988 年 56 巻 7 号 p. 463-467
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.463

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協会レポート

電気化学協会第55回大会報告

1988 年 56 巻 7 号 p. 475-477
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.475

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一般報文

Deposition of Transparent Boron Nitride Thin Film in a Microwave Discharge

Osamu MATSUMOTO, Chikara INAGAKI, Haruo UYAMA

1988 年 56 巻 7 号 p. 478-481
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.478

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Large Area VPE GaAs Wafers with Excellent Uniformity on Mass-Production Scale for Microwave IC Applications

Toshihiko TAKEBE, Yoshiki MIURA, Kikurou TAKEMOTO, Tsuguru SHIRAKAWA, ...

1988 年 56 巻 7 号 p. 482-489
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.482

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浅い接合のリーク電流に与える短時間熱処理の冷却速度の効果

大湯静憲, 夏秋信義, 和田恭雄

1988 年 56 巻 7 号 p. 490-493
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.490

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アモルファスWSiN拡散バリア

菅原裕彦, 浅井和義

1988 年 56 巻 7 号 p. 494-497
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.494

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CVD法を用いたMgAl₂O₄単結晶成長

井上恭典, 田口英二, 深瀬健二, 河原桂太, 米田清

1988 年 56 巻 7 号 p. 498-505
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.498

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Al／Si界面の酸化

松田哲郎, 丹生博彦, 前田宗雄

1988 年 56 巻 7 号 p. 506-509
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.506

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ECD用プロトン導電性固体電解質膜の電気泳動析出とその評価

桑原勝美, 大野光由, 杉山幸三

1988 年 56 巻 7 号 p. 510-515
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.510

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ECR PECVDによるa－Si：H膜のボロンドーピング

山本秀和, 日根史郎, 山川聡, 坪内夏朗

1988 年 56 巻 7 号 p. 516-520
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.516

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超LSI用P／P^＋エピウェーハにおけるミスフィット転位の発生とゲッタリング

菊池浩昌, 北方誠, 豊川文敏, 三上雅生

1988 年 56 巻 7 号 p. 521-526
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.521

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O₃／有機ソース常圧CVDによる酸化膜の形成

池田康郎, 沼沢陽一郎, 坂本充

1988 年 56 巻 7 号 p. 527-532
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.527

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光励起塩素ラジカルを用いたシリコンのエッチングとクリーニング

杉野林志, 奈良安雄, 渡辺悟, 伊藤隆司

1988 年 56 巻 7 号 p. 533-537
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.533

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ポリタンタロタングステン酸無機レジストの合成および感光特性

石川晃, 岡本博司, 宮内克己, 工藤徹一

1988 年 56 巻 7 号 p. 538-542
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.538

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シリコン窒化膜のシリコン酸化膜に対する高選択エッチング

早坂伸夫, 岡野晴雄

1988 年 56 巻 7 号 p. 543-546
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.543

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総合論文

高エネルギーイオン打ち込み技術の動向

徳山巍

1988 年 56 巻 7 号 p. 548-552
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.548

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シラン還元法による選択CVD－WおよびVLSIへの応用

堤聡明, 小谷秀夫, 小守純子, 長尾繁雄, 坪内夏朗

1988 年 56 巻 7 号 p. 553-557
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.553

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プロセスシミュレーション－最近の動向

福間雅夫, 羽根正巳

1988 年 56 巻 7 号 p. 558-562
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.558

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減圧下におけるAl電極のウエットエッチング機構－特定配線の異常細り現象

内山誠, 中村正志

1988 年 56 巻 7 号 p. 563-568
発行日: 1988/07/05
公開日: 2019/09/25

DOIhttps://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.56.563

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