体表面から数マイクロから数百マイクロメータにある皮膚角質層内の水分の広帯域誘電スペクトルを測定することを目的として，DTDR測定用のプローブをを利用して作製し，開発したプローブの測定深度の検証をおこなった．

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Novel measurement method of liquid crystal (LC) materials in millimeter-wave (MMW) region has been investigated by using Coplanar Waveguide (CPW) fabricated with Si substrate, where intense pulsed LD light is incident on the CPW to create non-contact movable MMW reflection boundary. In this study, we fabricate a LC cell structure on the CPW and investigate the measurement method of the losses and refractive indices of LC materials. The measurement results of various LC materials are compared with those by using waveguide test cell to confirm the validity of the measurement method.

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　無線LAN(Local Area Network)は、広く普及し、現在2.4GHz帯と5GHz帯でIEEE802.11として規格化がされている。中でも、5GHz帯は使用されている他の機器が少なく干渉が少ないため、注目されている。しかし、周波数の高さ故に2.4GHz帯に比べ通信距離が短いという欠点を持つ。また、単方向指向性は、壁面に配置した際に壁面側への電波の放射を抑えることが可能となるため効率よく電波を利用できる。　本研究では、単方向指向性の平面アンテナをアレイ化することにより、指向性を高め利得向上を行った。

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This paper reports a novel silicon bulk-micromachining process using deep reactive ion etching (DRIE) of silicon and electroplating of gold in order to realize a low-loss radio frequency (RF) waveguide. The waveguide developed in the handle wafer was electrically isolated by air, laterally actuated to close metal-to-metal contacts, and driven by an electrostatic actuator integrated on the SOI sides by the layer-separation technique. A thinned silicon-on-insulator (SOI) wafer of high-resistive handle layer and low-resistive active layer was chosen to meet the process and design requirements for a compact low loss switch.

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近年、定在スピン波共鳴現象を用いたフィルターや共振器などのデバイスが提案されており、これらのデバイスにおいては、共鳴周波数の制御が重要な要素となる。現在、磁性細線の幅や印加磁界による共鳴周波数の変調が報告されている。しかし、磁性細線の幅による周波数変調はプロセス技術の制限があり、印加磁界による変調は微細化を妨げ、実用が困難なため、新たな周波数変調方法が期待される。本研究では磁性細線間の静磁気相互作用による共鳴周波数変調方法について報告する。この方法を用いることにより、デバイスの微細化や高周波化が期待される。

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強磁性細線はスピン波導波路として利用できると考えられており、それを用いたさまざまな信号処理デバイスが検討されている。スピン波の共鳴現象はマイクロ波周波数帯で動作することができ、高周波フィルター等の信号処理デバイスに応用することができる。本研究では、フォトリソグラフィー法により作製したNiFe細線における定在スピン波共鳴の検出および定量的解析、並びにマイクロマグネティックシミュレーションによる計算機解析結果との比較を行った。

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磁気異方性エネルギーの異なるCo-Cr-Pt基グラニュラー膜を積層したECC(exchanged coupled composite)媒体は、膜厚方向にスピン波が誘引されると磁化反転磁場が減少する。本研究では、ECC媒体の層間交換結合を中間層の膜厚によって制御した媒体を作製し、ECC媒体中のHard層/Soft層の膜厚比を変化させながらマイクロ波アシスト磁化反転特性を測定した。また、一次元のマイクロマグネティクス計算と実験データの比較により、定量分析を行った。

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磁気異方性エネルギーの異なるCo-Cr-Pt基グラニュラー膜を積層したECC(exchanged coupled composite)媒体は、膜厚方向にスピン波が誘引されると磁化反転磁場が減少する。本研究では、ECC媒体の層間交換結合を中間層の膜厚によって制御した媒体を作製し、そのマイクロ波アシスト磁化反転特性を測定した。特に、磁化反転アシスト効果が最大化する周波数、およびアシスト効果に必要な交流磁場強度の閾値の中間層膜厚依存性を調べた。

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