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2000 年 (8)
2017 年 (8)
1985 年 (7)
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件
GaAs ICにおけるサイドゲート効果
大野 泰夫, 後藤 典夫, 伊東 朋弘
応用物理
1992年 61 巻 2 号 134-140
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.134
ジャーナル
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半導体中の深い準位に関連する現象は,不可解でかつ再現性のないものが多く,一般のデバイス研究者にとってはわかりにくいテーマのひとつである.しかし,高速,高周波の化合物半導体10を
半絶縁性基板
上に作る場合には,避けては通れない問題である.
半絶縁性基板
での寄生効果としz,古くから問題となっているサイドゲート効果について,その研究の歴史と,最近の数値解析により解明されつつあるメカニズムについて解説した.
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(4862K)
GaAs FETにおけるラグ現象とパワーコンプレッションの解析(1)
*風見 祐介, 河西 大輔, 三谷 恭隆, 堀尾 和重
電気関係学会東北支部連合大会講演論文集
2003年 2003 巻 2G14
発行日: 2003年
公開日: 2004/09/15
DOI
https://doi.org/10.11528/tsjc.2003.0.256.0
会議録・要旨集
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(144K)
化合物半導体デバイスのシミュレーション
堀尾 和重
応用物理
1997年 66 巻 2 号 123-126
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.66.123
ジャーナル
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化合物半導体デバイスのシミュレーションには未解決の問題も幾つか残っているが実用化が間近い.ここでは,最近の話題として,GaAs金属・半導体電界効果トランジスタ(MESFEIT)における深い不純物(トラップ)の影響のモデル化と,急峻なヘテロ接合界面のキャリア輸送のモデル化をデバイスシミュレーションの立場から論ずる.最後に,今後の課題と展望について述べる.
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(2067K)
光電子集積回路用半導体レーザー
大仲 清司, 辻井 平明, 柴田 淳
レーザー研究
1988年 16 巻 11 号 784-790
発行日: 1988/11/28
公開日: 2010/02/26
DOI
https://doi.org/10.2184/lsj.16.784
ジャーナル
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Semiconductor laser for use in optoelectronic integrated circuits has been developed. A ridge waveguide laser using the same layer with the heterojunction bipolar transitor (HBT) have been successfully integrated on a semi-insulating InP substrate. The n-cladding layer of the laser and the base of the HBT are the same epitaxial layers. This new structure has a small surface step and its fabrication process is very simple.
The threshold current of the ridge-waveguide laser is 30mA, and the characteristic temperature 65K. Since the HBT has an additional narrow band gap layer at the collector side of the base. Early effect is not observed.
This paper describes an analysis of the characteristics of the ridge-waveguide laser and the HBT, fabrication, and the operation of the optoelectronic integrated circuit.
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(823K)
高純度半絶縁性SiC基板上にイオン注入で作製したpinダイオードの評価
*金子 光顕, Tsibizov Alexander, 木本 恒暢, Grossner Ulrike
応用物理学会学術講演会講演予稿集
2019年 2019.2 巻 20p-E311-7
発行日: 2019/09/04
公開日: 2022/07/22
DOI
https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3643
会議録・要旨集
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(524K)
低濃度In添加HB法による低転位GaAs結晶
藤田 慶一郎
応用物理
1987年 56 巻 11 号 1473-1479
発行日: 1987/11/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.56.1473
ジャーナル
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最近,OEICやHEMTなどのGaAsデバイスの動作層をつくる方法として,MBEやMOVPEなどの“ファインエピタキシー技術”の進歩が著しく,これに適合した商品質(低転位密度)基板が望まれている.ここでは,LEC法に比べ,温度環境が結晶に与える熱応力の小さいボート法を用いて,エピタキシャル層との格子ミスフィットを生じさせない紙濃度のInを添加することによって,エピタキシャル用基板として望ましい低転位GaAB基板を開発したので,紹介する.
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(1275K)
光集積回路の開発動向
末宗 幾夫
電氣學會雜誌
1985年 105 巻 4 号 313-320
発行日: 1985/04/20
公開日: 2008/04/17
DOI
https://doi.org/10.11526/ieejjournal1888.105.313
ジャーナル
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(768K)
InP-Al
2
O
3
界面特性の検討とMISFETの試作
田口 真男, 上村 喜一, 酒井 善雄
電気学会論文誌. C
1978年 98 巻 5 号 165-171
発行日: 1978/05/20
公開日: 2008/12/19
DOI
https://doi.org/10.11526/ieejeiss1972.98.165
ジャーナル
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(1385K)
6. 光・電子集積回路
中村 道治, 中野 博行
テレビジョン学会誌
1985年 39 巻 11 号 1055-1058
発行日: 1985/11/20
公開日: 2011/03/14
DOI
https://doi.org/10.3169/itej1978.39.1055
ジャーナル
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(695K)
1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける高速電圧変調動作に向けた電気的応答特性の解析
*吉冨 翔一, 只野 翔太郎, 山中 健太郎, 西山 伸彦, 荒井 滋久
応用物理学会学術講演会講演予稿集
2017年 2017.2 巻 6p-C14-16
発行日: 2017/08/25
公開日: 2022/10/29
DOI
https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1006
会議録・要旨集
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(735K)
半絶縁性基板
上にイオン注入で作製したnおよびpチャネルJFETの400℃動作
*金子 光顕, 木本 恒暢
応用物理学会学術講演会講演予稿集
2017年 2017.2 巻 6a-A201-6
発行日: 2017/08/25
公開日: 2022/10/29
DOI
https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3487
会議録・要旨集
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(533K)
InP系化合物半導体材料およびデバイスの新展開
長谷川 英機, 和田 修
応用物理
1996年 65 巻 2 号 108-118
発行日: 1996/02/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.65.108
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インジウムリン系化合物半導体材料は,光デバイス,光集積回路,超高速電子デバイスの基本材料として,独自の地位を確立するとともに,マルチメディア時代の到来とともに,そのさらなる発展が期待されている.
本総合報告では, InP系材料およびデバイスの最近の進展について述べている.まず,基礎物性について概観した後,基板材料技術,エピタキシャル成長技術,光デバイスとその製作プロセス,電子デバイスとその製作プロセスについて,最近の進歩と最新の状況,さらに将来展望について述べている.
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(11179K)
高速電子デバイスのためのシミュレーション技術
谷野 憲之
応用物理
2000年 69 巻 2 号 176-178
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.69.176
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最近の高速電子デバイスに関するシミュレーション技術の進展について述べる.物理的なモデルに基づいたデバイスシミュレーション技術がどこまで進んだか,またデバイスの設計にどう生かされているかについて幅広く紹介する.さらに,関連する回路シミュレーション技術についてもふれ,今後の展望について述べる.
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(1094K)
InPショットキー障壁の解析とFETの試作
上村 喜一, 鈴木 永祐, 酒井 善雄
電気学会論文誌. C
1978年 98 巻 10 号 321-326
発行日: 1978/10/20
公開日: 2008/12/19
DOI
https://doi.org/10.11526/ieejeiss1972.98.321
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(1126K)
VI. マイクロ波デバイスと集積回路
石井 孝, 三井 茂
電氣學會雜誌
1979年 99 巻 7 号 619-622
発行日: 1979/07/20
公開日: 2008/04/17
DOI
https://doi.org/10.11526/ieejjournal1888.99.619
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(1403K)
1•2 GaAs素子の現況
関戸 健嗣
電氣學會雜誌
1969年 89 巻 974 号 2038-2041
発行日: 1969/11/20
公開日: 2008/11/20
DOI
https://doi.org/10.11526/ieejjournal1888.89.2038
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(356K)
CMOSのRF応用
松澤 昭
応用物理
2002年 71 巻 3 号 318-322
発行日: 2002/03/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.318
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CMOSは,アナログ・RF回路と大規模デジタル回路が同一チップ上に混載が可能で, RFシステムLSIの低コスト化が図れるものと期待されてきたが,長い間,大学を中心とする研究機関の研究テーマにとどまっていた.しかしながら,ようやく最近になってBluetoothなどの近距離RFネットワークから実用化され始めようとしている.本稿では, CMOSの基本的RF特性とその課題,低雑音増幅器と電圧制御発振器を例にとって,課題の克服例と今後の展望について解説する.
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(2223K)
歪緩和AlInSbバッファー層を用いたInSb-HEMT構造の作製と評価
*藤川 紗千恵, 高木 裕介, 前田 章臣, 古仲 佑太朗, 原 紳介, 渡邉 一世, 遠藤 聡, 山下 良美, 笠松 章史, 藤代 博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集
2014年 2014.1 巻 18p-PG3-1
発行日: 2014/03/03
公開日: 2023/07/07
DOI
https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2999
会議録・要旨集
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(155K)
100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの高感度化
*竹村 亮太, 中路 雅晴, 鈴木 大輔, 綿谷 力, 佐久間 仁, 柳楽 崇, 青柳 利隆, 石川 高英
応用物理学会学術講演会講演予稿集
2010年 2010.1 巻 20a-E-1
発行日: 2010/03/03
公開日: 2024/03/13
DOI
https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1027
会議録・要旨集
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(160K)
VCZ法によるGaAs単結晶の成長(<特集>バルク結晶の成長(II))
川瀬 智博, 龍見 雅美, 藤田 慶一郎
日本結晶成長学会誌
1995年 22 巻 1 号 17-24
発行日: 1995/03/25
公開日: 2017/05/31
DOI
https://doi.org/10.19009/jjacg.22.1_17
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We have developed VCZ method for growing GaAs and InP single crystals with low-dislocation-density. In this report, we show the growth by the VCZ method and the characterization of 4"φ and 6"φ semi-insulating and 3"φ Si-doped GaAs single crystals. In the VCZ method, a GaAs crystal is pulled under an arsenic atmosphere sealed in an inner chamber. The surface of the crystal isn't decomposed over 1100℃, therefore the crystal can be grown under a low tempertaure gradient so that growing a crystal with low dislocation density can be achieved. Dislocation densities of 4"φ and 6"φsemi insulating VCZ crystals are one order of magnitude and one third lower than that of the 4"φ LEC crystal respectively. The VCZ crystal includes low residual stress which causes cracking of a wafer and generating slip-dislocations in a wafer during hest treatments. In our heat treatment of 4"φ LEC and 4"φ VCZ wafers at 480℃, slip-dislocations are generated only in the LEC wafer. We have also successfully grown 3"φ Si-doped GaAs single crystals with wide dislocation free region by the VCZ method.
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