イオンビームによるGeナノ結晶形成過程と表面形状の観察

2003年秋の大会

セッションID: B02

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イオン照射，分析

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抄録

SiO₂中におけるナノ結晶形成過程を明らかにするため、Geを注入しannealingを施した試料のGe深さ分布をRBS法により測定し、拡散方程式による形成シミュレーションを行った。それにより得た結晶粒径と結晶面密度がAFMによる表面形状測定結果とほぼ一致することを確認した