Frischグリッド付アバランシェダイオードを用いた低被曝CT開発の基礎研究 その2　Frischグリッド付検出器とSiウエハの貼り合わせ

2004年秋の大会

セッションID: E50

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Ｘ・γ線イメージング

Frischグリッド付アバランシェダイオードを用いた低被曝CT開発の基礎研究

その2　Frischグリッド付検出器とSiウエハの貼り合わせ

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会議録・要旨集フリー

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抄録

マンモグラフィへの応用を念頭にして，SiでFrischグリッド付検出器を製作した．また，異種半導体の貼り合わせの基礎研究として，p型およびn型のSiウエハ同士を表面活性化法によって貼り合わせた．400_-_900℃までアニールを行い，比抵抗値測定を行った．