シリカガラスの軟X線照射誘起発光測定

抄録

シリカガラスにX線を照射するとB2b酸素欠陥由来の3eV付近の発光が観測される。Si 1s電子の空準位(p軌道)への選択的励起が起こる場合のみ、発光強度はX線照射時間に対して単調に減少し、B2b酸素欠陥の消滅が促進されることを見出した。