抄録
0.1-3 MeVエネルギー領域のプロトンおよびヘリウムイオンビーム入射にともなう電子励起によるSiO2薄膜の発光効率を評価し、さらにシリカガラスにおけるイオンビーム誘起発光特性から、発光中心の生成過程について検討した。一様に酸素欠陥を含むSiO2薄膜における発光効率のエネルギー依存性を測定した結果、250eV/nmまでは電子的阻止能にほぼ比例して発光効率が増大するが、それ以上のエネルギー付与で減少することがわかった。シリカガラスにおけるヘリウム照射ではイオンエネルギーの増加とともに発光増加率が小さくなる。一方、プロトン照射では、イオンエネルギーの増加とともに核的および電子的阻止能は減るにもかかわらず、単位長さあたりの発光増加率は大きくなり、ＯＨ基の濃度が高いほどその傾向がつよい。
