仮想中性子源増倍法を用いた未臨界度測定実験 (2)

抄録

2007 年秋の大会において 1 次の仮想中性子源増倍法による未臨界度測定実験を紹介した。しかしながら 1 次仮想中性子源近似は粗い近似であり、一般には良い精度は保証されない。そこで高次の仮想中性子源増倍法を用いることにより、測定精度が更に向上することが確認された。さらに、仮想中性子源増倍法により、中性子の生成消滅演算子の変化を推定することができた。