高純度SiCの照射クリープひずみの照射温度、線量、応力依存

抄録

SiCを温度勾配のある照射下で使用した場合、スウェリング量の強い温度依存性に起因して、大きな2次応力が材料中に発生することが指摘されている。実際には照射クリープによる応力緩和が起こると予想されるが、そのひずみ速度や機構はよく理解されていない。本研究では、応力負荷下で様々な条件でイオン照射を行い、照射クリープひずみの測定を行った結果を報告する。