175MeV準単色中性子入射による酸素からの軽イオン生成二重微分断面積測定

抄録

ウプサラ大学TSLで行われたSiO2及びSiに対する175MeV準単色中性子入射実験の解析を行い、酸素に関する軽イオン（p, d, t, α）生成二重微分断面積を導出した。また、解析結果をPHITSコード計算値と比較し核反応モデル及び評価済み高エネルギー核データファイルのベンチマークを行った。