イオン加速器連結型STMによる表面はじき出し損傷の原子レベルでの観察 (2)

抄録

イオン加速器連結型STMを用いて、Si(111)表面およびAu(111)表面を原子レベルの空間分解能で観察した。高エネルギー粒子照射下における欠陥形成過程を定量化するため、欠陥の拡散を抑えた液体窒素温度条件下と常温条件下の比較においてはじき出し損傷の解析を行った。