木更津工業高等専門学校電子制御工学科
2002 年 35 巻 p. 167-170
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半導体薄膜のバンド構造を調べるために,分光エリプソメトリによる測定システムを開発した.本システムは位相変調型エリプソメトリと呼ばれる方法で,光弾性変調器を用いて,試料に入射する偏光に変調をかけていることが特徴である.開発したシステムでは,測定値の絶対精度の点で問題が残るが,反射光の位相差スペクトルを感度よく測定できることが明らかになった.
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