乱れと電子の局在化 : 不純物伝導
1984 年 39 巻 1 号 p. 11-18
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1984 年 39 巻 1 号 p. 11-18
ノーマルな金属の最低温度域での電気抵抗は, 結晶に含まれている乱れによるもので, 温度変化がないと思われていた. しかし, 乱れの強い系についての最近の研究は, 金属電子に関して常識とされていたことを次々に覆し, 乱れのもたらすさまざまな効果を再認識させた. これらはすべて, 乱れた場の中での電子の局在化を軸として展開される現象であることが明らかにされつつあるが, その例の幾つかを強くドープした半導体について眺めてみよう.
